PASCAL 的 PLD MBE 系統(tǒng)的主體是一個(gè)UHV激光分子束外延裝置。使用準(zhǔn)分子激光進(jìn)行基底加熱；脈沖激光做為幅照源。使用兩個(gè)組合的掩膜和一個(gè)掃描式的反射高能電子衍射（RHEED）設(shè)備，系統(tǒng)能同時(shí)制備很多樣品（250個(gè)/10mm2）。每個(gè)樣品都是原子級的控制，可以設(shè)置不同的生長條件。在UHV中使用激光輻照的組合的掩模和靶材。
這個(gè)組合膜沉積的概念，是由于使用分離的基底、小區(qū)域的掩模和每個(gè)樣品不同的生長參數(shù)導(dǎo)致的沉積條件的系統(tǒng)變化。最顯著的貢獻(xiàn)就是可以快速地篩選生長條件。
版權(quán)與免責(zé)聲明：
① 凡本網(wǎng)注明"來源：教育裝備采購網(wǎng)"的所有作品，版權(quán)均屬于教育裝備采購網(wǎng)，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。已獲本網(wǎng)授權(quán)的作品，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明"來源：教育裝備采購網(wǎng)"。違者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
② 本網(wǎng)凡注明"來源：XXX（非本網(wǎng)）"的作品，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對其真實(shí)性負(fù)責(zé)，且不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)下載使用，必須保留本網(wǎng)注明的"稿件來源"，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
③ 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起兩周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
