教育裝備采購網(wǎng)訊：據(jù)科技部消息，韓國三星電子近日在京畿道華城舉行20納米DRAM閃存量產(chǎn)慶祝儀式，三星電子表示，這標志著采用20納米級工藝的DRAM內(nèi)存芯片將進入量產(chǎn)階段，內(nèi)存芯片納米競爭已然落幕，從而正式邁入下一代芯片時代。
報道稱，內(nèi)存芯片16號生產(chǎn)線是一棟占地19.8萬平方米的12層建筑，是世界最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線用12英寸晶圓每月生產(chǎn)1萬個用于數(shù)碼相機和智能手機的20納米級閃存。
三星電子介紹說，芯片內(nèi)部的電子線路由無數(shù)微細的電線緊湊而成。電線越細，在同一面積上裝載的電子零件越多，就能儲存更多信息。但如果電線過細，流經(jīng)芯片線路的電流會發(fā)生干擾和沖突，從而引發(fā)故障。全球芯片生產(chǎn)商為了把電線直徑縮小到相當于人類頭發(fā)絲萬分之一的納米單位，展開了激烈的競爭。20納米級工藝和30納米級工藝生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存芯片性能相同，但產(chǎn)量可提高50%，三星的競爭力就在于該微細工藝技術(shù)。
據(jù)悉，三星在1992年后第一個研發(fā)出最微細的芯片生產(chǎn)工藝，并引領(lǐng)內(nèi)存芯片市場。三星電子強調(diào)，這是世界最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星用來與競爭對手進一步拉大差距的利器，在下一代芯片競爭中，兼?zhèn)湓瓌?chuàng)技術(shù)和量產(chǎn)技術(shù)的韓國企業(yè)具有更強的競爭力。
