幾十年來，半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)生長技術(shù)的不斷進(jìn)步驅(qū)動著電子和光電子科學(xué)研究和技術(shù)應(yīng)用的不斷發(fā)展。紅外和太赫茲波段的許多應(yīng)用利用了半導(dǎo)體量子阱中量子化狀態(tài)間的躍遷（子帶間躍遷）。然而，目前的傳統(tǒng)量子阱器件在功能和應(yīng)用上都受限于對散射界面以及晶格匹配生長條件的苛刻要求。

　　可喜的是：近期西班牙巴塞羅那科學(xué)技術(shù)研究所Frank H. L. Koppens教授團(tuán)隊(duì)將量子阱子帶間躍遷的概念引入到范德瓦爾斯層狀材料中，提出了范德瓦爾斯量子阱子帶躍遷。范德瓦爾斯量子阱天然形成于二維材料之中，得益于二維材料的原子清晰界面和異質(zhì)結(jié)簡易轉(zhuǎn)移堆疊技術(shù)，范德瓦爾斯量子阱在克服散射界面限制和晶格匹配生長條件限制上擁有巨大潛力。作者利用德國neaspec公司的近場光學(xué)顯微鏡（neaSNOM, s-SNOM）以低于20 nm的空間分辨率實(shí)現(xiàn)了WSe2薄層量子阱子帶吸收共振的近場光學(xué)納米成像。并且，通過改變照明光子能量，作者實(shí)現(xiàn)了對不同厚度范德瓦爾斯量子阱的光譜方式分辨。此外，作者通過靜電調(diào)控WSe2中的載流子濃度實(shí)現(xiàn)了對量子阱子帶吸收強(qiáng)度的原位控制。后，作者在單個(gè)WSe2器件的價(jià)帶和導(dǎo)帶均實(shí)現(xiàn)了量子阱子帶吸收，證明了二維材料子帶吸收躍遷的普遍性。這項(xiàng)工作使得我們能夠以單的電學(xué)或光學(xué)控制來實(shí)現(xiàn)二維材料量子阱子帶躍遷，并且以全新的視角來設(shè)計(jì)新型的光電探測器、發(fā)光二管和激光光源等。該工作同時(shí)也證明了利用近場局域探針實(shí)現(xiàn)納米尺度二維材料量子阱子帶吸收共振光譜方式分辨的可行性。該工作近期發(fā)表在納米領(lǐng)域雜志Nature Nanotechnology上，并作為封面刊出。

圖1：Nature Nanotechnology 2018年11月 第13卷 第11期

封面藝術(shù)想象圖為由層狀TMD形成的光激發(fā)范德瓦爾斯層狀結(jié)構(gòu)

圖2： 層狀WSe2薄片紅外吸收測量裝置示意圖和測量結(jié)果

　　a) s-SNOM實(shí)驗(yàn)測量示意圖； b) a圖中虛線所示區(qū)域三階諧振復(fù)合散射光信號絕對值空間圖，可以看到散射信號絕對值隨層數(shù)單調(diào)增加； c) 5層區(qū)域三階諧振復(fù)合散射信號相位值（正比于樣品的光學(xué)吸收強(qiáng)度）隨背柵電壓變化時(shí)域圖，Eph=117meV；d) 不同層數(shù)區(qū)域散射信號相位值橫截線，Eph=117meV；e) Eph=117meV入射光下，三階諧振復(fù)合散射信號相位空間圖，即空間吸收圖；f）改變?nèi)肷涔饽芰繛镋ph=165meV，三階諧振復(fù)合散射信號相位空間圖。

　　德國neaspec公司散射式近場光學(xué)顯微鏡（s-SNOM）具有的偽外差探測模塊，可以利用參考鏡對近場信號進(jìn)行相位解調(diào)，從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度（反射）和相位（吸收）的同時(shí)采集和成像。該研究小組通過德國neaspec公司的散射式近場光學(xué)顯微鏡neaSNOM配合可調(diào)諧中紅外QCL激光器，對具有不同厚度的WSe2薄片進(jìn)行了近場光學(xué)成像研究。從近場光學(xué)成像相位圖（圖2e和2f）中可以看出，對于117mV的光子能量，1層和5層區(qū)域表現(xiàn)出明顯的吸收現(xiàn)象，而對于165 meV的光子能量，只有4層區(qū)域表現(xiàn)出明顯的吸收現(xiàn)象。結(jié)合理論計(jì)算，作者發(fā)現(xiàn)，4層和5層WSe2量子阱空穴子帶躍遷的能量分別靠近165meV和117meV的光子能量，所以它們的空間吸收圖是觀察到范德瓦爾斯量子阱子帶躍遷的直接證據(jù)，而單層區(qū)域的顯著吸收行為則來源于Drude吸收機(jī)制。

　　通過改變背柵電壓，作者發(fā)現(xiàn)吸收系數(shù)和載流子濃度呈正相關(guān)，并且在導(dǎo)帶和價(jià)帶均觀察到了子帶躍遷行為。該發(fā)現(xiàn)證明了設(shè)計(jì)基于范德瓦爾斯量子阱的紅外探測器和激光光源的物理和技術(shù)可行性。同時(shí)，該研究也展示了德國neaspec公司的散射型近場光學(xué)顯微鏡在二維材料光學(xué)研究中的廣闊應(yīng)用前景。

　　目前，Quantum Design中國北京實(shí)驗(yàn)室的德國neaspec超高分辨散射式近場光學(xué)顯微鏡neaSNOM設(shè)備，可提供8-11μm s-SNOM的成像功能以及650-2200cm?1 nanoFTIR近場光學(xué)光譜功能，為廣大科研工作者提供更好的測試體驗(yàn)和技術(shù)支持。

　　參考文獻(xiàn)：

　　Nano-imaging of intersubband transitions in van der Waals quantum wells, Nat. Nanotech. 13, 1035–1041(2018).

　　In-plane anisotropic and ultra-low-loss polaritons in a natural van der Waals crystal, Nature. 562, 557–562 (2018).