少子壽命測(cè)試儀，是款硅片少子壽命測(cè)試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測(cè)量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè)量。

　　 儀器簡(jiǎn)介

　　少子測(cè)試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω.cm(可擴(kuò)展至0.01Ω.cm)。測(cè)試過程程動(dòng)態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導(dǎo)體及太陽能拉晶企業(yè)不可多得少子壽命測(cè)量?jī)x器。

　　 儀器點(diǎn)

　　■測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測(cè)量。

　　■主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的廠、出廠檢查，藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。

　　■適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量，電阻率測(cè)量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω/cm(可擴(kuò)展至0.01Ω/cm)，解決了微波光電導(dǎo)無法檢測(cè)低阻單晶硅的問題。

　　■程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過程，避免了微波光電導(dǎo)(u-PCD)無法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。

　　■貫穿深度大，達(dá)500微米，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測(cè)量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。

　　■業(yè)定制樣品架較大程度地滿足了原生多晶硅料企業(yè)測(cè)試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。

　　■性價(jià)比，價(jià)格遠(yuǎn)低于外外少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品，大程度地降低了企業(yè)的測(cè)試成本。