Quantum Design公司近期推出了激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)，該系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念，具有更高功率、更均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能，其優(yōu)越的技術(shù)性能將助力同行學(xué)者和專家的晶體生長(zhǎng)工作！
浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)技術(shù)因其在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中具有無(wú)需坩堝、樣品腔壓力可控、生長(zhǎng)狀態(tài)便于實(shí)時(shí)觀察等諸多優(yōu)點(diǎn)，目前已被公認(rèn)為是獲取高質(zhì)量、大尺寸單晶的重要手段之一。激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合端材料（諸如：高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等），以及常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作！
跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì)：
功率更高，能量密度更大，加熱效率更高
采用技術(shù)五路激光設(shè)計(jì)，確保熔區(qū)能量分布更加均勻
更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案，有助于降低晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的熱應(yīng)力
采用了特的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)
新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)：
| 加熱控制 | 激光束 | 5束 |
| 激光功率 | 2KW | |
| 熔區(qū)高溫 | ～3000℃* | |
| 測(cè)溫范圍 | 900℃～3500℃ | |
| 溫度穩(wěn)定性 | +/-1℃ | |
| 晶體生長(zhǎng)控制 | 大位移距離 | 150mm* |
| 晶體生長(zhǎng)大直徑 | 8mm* | |
| 晶體生長(zhǎng)大速度/轉(zhuǎn)速 | 300 mm/hour;100rpm | |
| 晶體生長(zhǎng)監(jiān)控 | 高清攝像頭 | |
| 晶體生長(zhǎng)控制 | PC控制 | |
| 其它 | 占地面積 | D140 xW210 x H200 (cm) |
*具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件
哈爾濱工業(yè)大學(xué)科學(xué)工程專項(xiàng)建設(shè)指揮部暨空間基礎(chǔ)科學(xué)研究中心致力于各種高熔點(diǎn)、易揮發(fā)的超導(dǎo)、磁性、鐵電、熱電等材料的單晶生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)及相關(guān)物性研究，近日，我司再次同院校哈爾濱工業(yè)大學(xué)合作，順利完成新一代高功率激光浮區(qū)法單晶爐設(shè)備采購(gòu)訂單，推動(dòng)單晶生長(zhǎng)工作邁向更高的臺(tái)階，我們也將一如既往，秉承精益求精的研發(fā)、設(shè)計(jì)和加工理念，為用戶提供的技術(shù)和服務(wù)，助力用戶科研事業(yè)更上一層樓!
RIKEN（CEMS）設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物圖
采用新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長(zhǎng)出的部分單晶體應(yīng)用案例：
| Sr2RuO4 | SmB6 |
| Ba2Co2Fe12O22 | Y3Fe5O12 |
以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
