[報(bào)告主題及簡介]
報(bào)告一：無掩模光刻技術(shù)新進(jìn)展 - 全新亞微米分辨直寫技術(shù)在微納器件制備中的應(yīng)用
在制備新型微電子、自旋電子學(xué)、傳感器等器件時(shí)，通常會涉及到光刻工藝。而在諸多曝光技術(shù)當(dāng)中，無掩模曝光技術(shù)因其特的優(yōu)勢和特點(diǎn)，成為當(dāng)前為流行高效的一種。與傳統(tǒng)掩膜版技術(shù)相比，無掩模曝光技術(shù)具有高分辨、高對準(zhǔn)精度、更加簡易操作等諸多優(yōu)勢，能夠輕松實(shí)現(xiàn)微米、亞微米精度的光刻、套刻，配合各類標(biāo)準(zhǔn)微加工工藝，能夠方便快捷地實(shí)現(xiàn)各類微結(jié)構(gòu)的制備。在本報(bào)告中，將重點(diǎn)介紹無掩模光刻技術(shù)新前沿進(jìn)展，結(jié)合來自國內(nèi)外斯坦福，劍橋，復(fù)旦等科研單位的國際期刊研究成果，探討無掩模光刻技術(shù)在微納圖形設(shè)計(jì)和器件制備中各種應(yīng)用。
報(bào)告二：納米尺寸圖案直寫利器 - 基于掃描熱探針光刻技術(shù)的新型二維材料納米器件制備
納米圖案化和轉(zhuǎn)移方法在納米器件制備和性能研究中起到關(guān)鍵作用，傳統(tǒng)的納米器件制作方法通常由于存在電子的注入而導(dǎo)致器件損傷，無法實(shí)現(xiàn)真正高效無損的3D直寫，嚴(yán)重的影響了器件真實(shí)性能的評估和后續(xù)科研工作的開展。新發(fā)展的掃描熱探針納米直寫技術(shù)因其特的熱探針直寫方式，在具備納米直寫精度的同時(shí)，還具有無需顯影操作、閉環(huán)刻寫、高精度套刻、小尺度材料改性等技術(shù)優(yōu)勢，充分滿足前沿微納電子學(xué)、微納流控、微納機(jī)電等研究領(lǐng)域的納米器件制備需求。在本報(bào)告中，我們將分享近年來一系列發(fā)表在《nature》，《science》等期刊上的新科研成果，從原理、應(yīng)用及拓展等多個(gè)維度討論基于掃描熱探針光刻的納米直寫技術(shù)在科研領(lǐng)域的重要應(yīng)用。
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[主講人介紹]
張永圣 博士
博士畢業(yè)于中國科學(xué)院物理研究所，從事磁性超薄膜材料、磁各向異性及超快動力學(xué)方面科研工作。目前在Quantum Design中國子公司主要負(fù)責(zé)無掩模光刻，基于掃描熱探針的納米高速直寫機(jī)等微納加工及表征設(shè)備的高銷售與應(yīng)用支持工作，對微納加工和表征有著深刻的理解。
[報(bào)告時(shí)間]
開始 2020年04月22日 14:00
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