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25年中小學(xué)科學(xué)發(fā)展大會(huì) 校體購(gòu)2
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  • ? 磁性存儲(chǔ)介質(zhì)材料取得新進(jìn)展，振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)！

    磁性存儲(chǔ)介質(zhì)材料取得新進(jìn)展，振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)！

    近幾十年來，由于L10有序的FePt薄膜具有極大的磁各向異性能量密度，在高密度熱輔助磁記錄（HAMR）介質(zhì)中具有潛在的應(yīng)用前景，引起了研究人員的關(guān)注。通過添加Au、Ag、Cr、M...
    2023-06-09 圍觀9163次 [方案]
  • ? 致真磁光克爾顯微鏡助力全線性神經(jīng)元-SOT磁性存儲(chǔ)器件研究取得新進(jìn)展

    致真磁光克爾顯微鏡助力全線性神經(jīng)元-SOT磁性存儲(chǔ)器件研究取得新進(jìn)展

    存算一體及人工智能神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片采用非馮諾依曼架構(gòu)體系，可大降低數(shù)據(jù)的訪問延遲和傳輸能耗，提升計(jì)算速度。SOT-MRAM以其高速、高耐久度等優(yōu)點(diǎn)，在此類應(yīng)用中將發(fā)揮巨大的...
    2021-11-26 圍觀679次 [技術(shù)]
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    MOKE磁性系統(tǒng)助力中國(guó)磁隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)的騰飛

    磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM)利用磁隧道結(jié)自由層磁矩取向不同引起的磁阻不同作為存儲(chǔ)單位0和1，同時(shí)結(jié)合傳統(tǒng)的磁存儲(chǔ)(PMR)非易失性及靜/動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM/DRAM)讀寫速度快...
    2017-10-11 圍觀5703次 [方案]