摘要：本發(fā)明涉及一種高純鍺探測(cè)器無源效率刻度的方法。該方法可以自動(dòng)、快速、準(zhǔn)確地確定高純鍺晶體及其靈敏區(qū)尺寸，然后利用蒙特卡羅方法直接進(jìn)行模擬計(jì)算，從而快速實(shí)現(xiàn)高純鍺探測(cè)器無源效率刻度。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人中國輻射防護(hù)研究院;
- 發(fā)明人馬吉增;劉立業(yè);潘紅娟;候海權(quán);張斌全;張勇;楊紹文;
- 地址030006山西省太原市120信箱
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200610065054.1
- 申請(qǐng)時(shí)間2006年03月17日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN100552440C
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2009年10月21日
- 分類號(hào)G01N23/00(2006.01)I;G01T1/00(2006.01)I;G06F19/00(2006.01)I;
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