摘要：本發(fā)明涉及一種中心頻率可調(diào)的超高頻RFID讀寫器中的低噪聲放大器，通過(guò)在輸入端采用二階交調(diào)電流注入結(jié)構(gòu)以提高線性度；而在輸出端采用開關(guān)電容的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)中心工作頻率可調(diào)。二階交調(diào)電流注入結(jié)構(gòu)是通過(guò)對(duì)MOS管的非線性特性進(jìn)行分析，然后得出使三階交調(diào)電流值為0時(shí)的注入電流值；在輸出端，采用MOS管與電容的連接方式組成開關(guān)電容對(duì)，當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí)，電容被接入，當(dāng)MOS截至?xí)r，電容斷開，也即通過(guò)MOS的導(dǎo)通與斷開實(shí)現(xiàn)了在輸出端電容值的改變。根據(jù)![]()
可知，當(dāng)電感值L不變，而電容值C改變時(shí)，中心工作頻率也會(huì)隨著電容值C的改變而改變，這就實(shí)現(xiàn)了低噪聲放大器的中心工作頻率可調(diào)。本發(fā)明提出的混頻器的工作電壓為1.2V，功耗低，符合低電壓低功耗的要求，簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)、降低功耗以及擴(kuò)展中心工作頻率點(diǎn)等方面有很大的指導(dǎo)意義。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人湖南大學(xué);
- 發(fā)明人王春華;汪飛;袁超;郭勝?gòu)?qiáng);許靜;張秋晶;何海珍;郭小蓉;易波;
- 地址410082 湖南省長(zhǎng)沙市岳麓區(qū)湖南大學(xué)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200910227018.4
- 申請(qǐng)時(shí)間2009年11月25日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101895261A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2010年11月24日
- 分類號(hào)H03F3/189(2006.01)I;H03F1/26(2006.01)I;
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