摘要：本發(fā)明涉及薄膜太陽能電池及其基帶和制備方法。具體地說，本發(fā)明涉及一種薄膜太陽能電池基帶，其包括：襯底層，其由合金材料組成；擴散阻擋層，其形成于所述襯底層的上面；和純銅層，其形成于所述擴散阻擋層的上面。本發(fā)明還涉及所述薄膜太陽能電池基帶在制備太陽能電池中的用途，包括所述薄膜太陽能電池基帶的薄膜太陽能電池，以及所述基帶和電池的制備方法。本發(fā)明的薄膜太陽能電池及其基帶厚度薄、機械性能良好、不會污染功能層。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人安泰科技股份有限公司;
- 發(fā)明人胡小萍;方玲;劉迎春;盧志超;周少雄;
- 地址100081 北京市海淀區(qū)學(xué)院南路76號
- 申請?zhí)?/b>CN200910087971.3
- 申請時間2009年06月26日
- 申請公布號CN101931011A
- 申請公布時間2010年12月29日
- 分類號H01L31/02(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;
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