摘要：本發(fā)明公開了一種大功率倒裝陣列LED芯片及其制造方法。其大功率倒裝陣列LED芯片結(jié)構(gòu)為：陣列LED芯片是由多個陣列單元構(gòu)成陣列，其中相鄰陣列單元都共用一個n型緩沖層（3）；所述陣列單元是藍寶石襯底（2）上方依次覆蓋n型緩沖層（3）、n型半導(dǎo)體層（6）、有源層（7）、p型半導(dǎo)體層（8）、透明電極層（9）、p電極層（10）；相鄰兩個陣列單元之間是n電極（5）；并且n電極（5）和p電極層（10）由絕緣層（4）包覆；在絕緣層（4）包覆的p電極層（10）窗口上方覆蓋外接金屬散熱層（11）。藍寶石襯底（2）的出光面處理為粗糙化表面（1）。芯片的p電極采用光反射率較高的銀或鋁等金屬。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人鄧朝勇;楊利忠;李緒誠;張榮芬;許鋮;
- 地址550025 貴州省貴陽市貴州大學(xué)花溪北校區(qū)科技處
- 申請?zhí)?/b>CN201110214627.3
- 申請時間2011年07月29日
- 申請公布號CN102270633B
- 申請公布時間2013年11月20日
- 分類號H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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