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    一種應(yīng)用原子層沉積技術(shù)制備三氧化二鋁鈍化薄膜的方法

      摘要:本發(fā)明公開了一種應(yīng)用原子層沉積技術(shù)制備三氧化二鋁鈍化薄膜的方法,所述方法包括:預(yù)熱步驟,將襯底承載器放入預(yù)熱腔室中,以熱空氣為介質(zhì)對襯底進(jìn)行預(yù)熱;溫度穩(wěn)定步驟,待襯底承載器達(dá)到預(yù)定溫度后,將襯底承載器轉(zhuǎn)移至沉積腔室,以熱惰性氣體為介質(zhì)對襯底進(jìn)行加熱;沉積步驟,待沉積腔室溫度穩(wěn)定后,通入反應(yīng)氣體完成至少一個三氧化二鋁薄膜生長周期;冷卻步驟,待完成三氧化二鋁薄膜的沉積后,取出襯底承載器進(jìn)行冷卻。本發(fā)明在ALD工藝中引入獨特的預(yù)熱工藝和氣體加熱工藝,有效縮短了襯底材料的溫度穩(wěn)定時間,兼顧了時域ALD設(shè)備的成本低廉和批處理ALD設(shè)備的高產(chǎn)量特點,通過優(yōu)化相關(guān)工藝參數(shù)有效提高了三氧化二鋁薄膜的生產(chǎn)效率。
    • 專利類型發(fā)明專利
    • 申請人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
    • 發(fā)明人王啟元;克雷格·伯考;李春雷;趙星梅;
    • 地址100015 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號M2樓2層
    • 申請?zhí)?/b>CN201210102536.5
    • 申請時間2012年04月09日
    • 申請公布號CN102637585A
    • 申請公布時間2012年08月15日
    • 分類號H01L21/205(2006.01)I;
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