摘要：本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積法制備同軸碳化硅/二氧化硅納米電纜的方法，將浸泡后的碳/碳復(fù)合材料置于在沉積爐，抽真空再通氬氣至常壓，然后向裝有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入載氣氫氣，將反應(yīng)氣源甲基三氯硅烷帶入爐堂內(nèi)，同時通入稀釋氬氣及稀釋氫氣進(jìn)入反應(yīng)。本發(fā)明合成工藝簡單，不需要預(yù)先合成工藝；碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外層）同軸納米電纜在常壓下制得，對設(shè)備的要求低；沉積溫度較低，降低了制備成本；此外，還有一個突出的特點(diǎn)是可以通過調(diào)整沉積工藝參數(shù)有效控制碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外層）同軸納米電纜的純度和均勻性。這些優(yōu)點(diǎn)讓大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外層）同軸納米電纜成為可能。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人西北工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人李賀軍;強(qiáng)新發(fā);張雨雷;李克智;魏建鋒;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請?zhí)?/b>CN201210243056.0
- 申請時間2012年07月13日
- 申請公布號CN102810359B
- 申請公布時間2014年07月02日
- 分類號H01B13/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;
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