摘要：本發(fā)明涉及輻射測(cè)量技術(shù)，具體涉及一種基于硅光電倍增器的區(qū)域γ輻射測(cè)量方法及測(cè)量裝置。該裝置包括高量程探頭和低量程探頭，所述的高量程探頭為硅半導(dǎo)體探測(cè)器，所述的低量程探頭為由閃爍晶體和硅光電倍增器組合而成的探頭，利用硅光電倍增器體積小、工作電壓低、響應(yīng)時(shí)間短、對(duì)磁場(chǎng)不敏感等特點(diǎn)，將其作為閃爍體探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換和信號(hào)放大部件，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)便攜式區(qū)域γ劑量?jī)x的小型化。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人中國(guó)輻射防護(hù)研究院;
- 發(fā)明人靳根;陳法國(guó);劉倍;徐園;王希濤;楊亞鵬;
- 地址030006 山西省太原市學(xué)府街102號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201110392066.6
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年11月30日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103135120A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年06月05日
- 分類號(hào)G01T1/02(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I;G01T1/202(2006.01)I;
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