摘要：本發(fā)明提供的一種波導交叉單元及其制作方法，其中，基于SOI的波導交叉單元包括：襯底、下層光波導、上層光波導、中間層及隔離層；下層光波導與上層光波導呈橋式結(jié)構(gòu)相互交叉設置在襯底上；隔離層設置在襯底的中間部位處，中間層分別設置在下層光波導、隔離層的上表面，上層光波導設置在中間層的上表面；下層光波導與上層光波導的折射率相同；中間層的折射率小于下層光波導的折射率；隔離層的折射率小于下層光波導的折射率；襯底的折射率小于下層光波導的折射率；隔離層的折射率小于中間層的折射率；本發(fā)明具有低損耗、低串擾的結(jié)構(gòu)特點。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華中科技大學;
- 發(fā)明人劉陳;魏玉明;劉德明;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
- 申請?zhí)?/b>CN201410048787.9
- 申請時間2014年02月12日
- 申請公布號CN103777273B
- 申請公布時間2016年02月17日
- 分類號G02B6/125(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I;
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