摘要：本發(fā)明提供了一種氣液兩相霧化流量可控清洗裝置，涉及半導(dǎo)體晶片工藝技術(shù)領(lǐng)域，包括氣體主管路、液體支管路、壓電晶體，所述氣體主管路的下端外側(cè)壁設(shè)有與其貼合的環(huán)形結(jié)構(gòu)的壓電晶體，通過控制所述壓電晶體的電壓使所述壓電晶體產(chǎn)生形變，從而控制所述氣體主管路的孔徑，改變所述氣體主管路中氣體的壓力和流速。本發(fā)明通過合理控制清洗介質(zhì)的流量和流速，調(diào)整晶片徑向不同位置的腐蝕速率，提高晶片的腐蝕均一性；在工藝過程中氣流方向與晶片表面的溝槽結(jié)構(gòu)相垂直，促進(jìn)溝槽中雜質(zhì)向流體主體的傳遞，提高清洗的效率和效果，同時，有利于節(jié)約液相流體。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人蘇宇佳;吳儀;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號
- 申請?zhí)?/b>CN201410058385.7
- 申請時間2014年02月20日
- 申請公布號CN103779186B
- 申請公布時間2016年09月14日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;B08B3/04(2006.01)I;
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