摘要：一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的MCdO層及MoO3層，其中，MCdO為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘。上述導(dǎo)電薄膜通過(guò)在MCdO層的表面沉積高功函的MoO3層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持MCdO層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高。本發(fā)明還提供一種導(dǎo)電薄膜的制備方法及應(yīng)用。
- 專利類型發(fā)明專利
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- 發(fā)明人周明杰;王平;陳吉星;張振華;
- 地址518000 廣東省深圳市南山區(qū)南海大道海王大廈A座22層
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310043277.8
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年01月30日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103963367A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年08月06日
- 分類號(hào)B32B9/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;
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