摘要：本發(fā)明公開了一種NVRAM的控制方法和系統(tǒng)，系統(tǒng)包括操作系統(tǒng)判斷單元、寫保護(hù)解除單元、起始內(nèi)存地址確定單元、解鎖單元、擦除單元、修改單元、上鎖單元及寫保存單元。方法包括：S1、判斷操作系統(tǒng)類型，若為16位及以下的操作系統(tǒng)，則切換到保護(hù)模式；若為32位及以上的操作系統(tǒng)，則加載驅(qū)動將線性地址轉(zhuǎn)為物理地址；S2、解除南橋?qū)VRAM的寫保護(hù)；S3、確定NVRAM中需要進(jìn)行數(shù)據(jù)修改的起始內(nèi)存地址；S4、解鎖NVRAM；S5、擦除NVRAM；S6、對NVRAM進(jìn)行數(shù)據(jù)修改；S7、上鎖NVRAM；S8、加上南橋?qū)VRAM的寫保護(hù)。通過操作NVRAM所映射的內(nèi)存空間，對NVRAM實施讀寫操作。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人研祥智能科技股份有限公司;
- 發(fā)明人陳志列;艾宇;張寧;張錦坤;
- 地址518057 廣東省深圳市南山區(qū)高新中四道31號研祥科技大廈
- 申請?zhí)?/b>CN201310102700.7
- 申請時間2013年03月27日
- 申請公布號CN104077245A
- 申請公布時間2014年10月01日
- 分類號G06F12/16(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I;
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