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    一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法

      摘要:本發(fā)明提供了一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法,屬于聲表面波器件技術領域,所述方法包括:將烘箱的溫度穩(wěn)定在160攝氏度,晶片將晶片放入所述烘箱中烘烤;烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至155攝氏度,再烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至150攝氏度,恒溫保持1小時;將所述烘箱的溫度降至120攝氏度,溫度恒定10分鐘后取出所述晶片。本發(fā)明通過將晶片的烘烤溫度控制在150攝氏度至160攝氏度,使光刻膠達到流變狀態(tài),達到最大限度的保護線條作用,減緩側向腐蝕的速度,實現(xiàn)厚膜細線條的目的,從而降低干刻或剝離的工藝復雜度,同時也降低了工藝成本。
    • 專利類型發(fā)明專利
    • 申請人北京中訊四方科技股份有限公司;
    • 發(fā)明人董啟明;張敬鈞;
    • 地址100194 北京市海淀區(qū)蘇家坨鎮(zhèn)聶各莊路7號
    • 申請?zhí)?/b>CN201410407221.0
    • 申請時間2014年08月18日
    • 申請公布號CN104317171A
    • 申請公布時間2015年01月28日
    • 分類號G03F7/38(2006.01)I;
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