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    CIGS薄膜太陽能電池留Mo清邊的方法

      摘要:本發(fā)明適用于CIGS薄膜太陽能電池加工領域,提供了一種CIGS薄膜太陽能電池加工中的留Mo清邊的方法,包括以下步驟:將待清邊的電池放置工作臺上;機械刻刀移動到待清邊的位置上方;所述機械刻刀受恒力驅使下降并勻速穿透待清邊的電池的透明導電層和CIGS吸收層,其中,所述恒力小于所述機械刻刀穿透所述待清邊的電池的MO層所需的力;所受恒力持續(xù)輸出,使得所述機械刻刀的刀頭正好與所述MO層的表面接觸;所述待清邊的電池與所述機械刻刀相對水平移動,刮除掉所述透明導電層和CIGS吸收層的邊緣。本發(fā)明方法采用刀刮的方式,利用機械刻刀恒力穿透,可以一次性刮掉透明導電層和CIGS吸收層的邊緣,方法簡單高效,成本低。
    • 專利類型發(fā)明專利
    • 申請人大族激光科技產業(yè)集團股份有限公司;
    • 發(fā)明人王振華;陶尚輝;楊凱;劉昌念;謝建;高云峰;
    • 地址518055 廣東省深圳市南山區(qū)高新技術園北區(qū)新西路9號大族激光大廈
    • 申請?zhí)?/b>CN201310389178.5
    • 申請時間2013年08月30日
    • 申請公布號CN104425645B
    • 申請公布時間2016年08月24日
    • 分類號H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;
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