摘要：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，旨在提供一種g?C3N4納米球的制備方法。包括：富氮前驅(qū)體經(jīng)熱處理后，將產(chǎn)物研磨至粉狀顆粒，獲得g?C3N4顆粒；再分散于酸液中，超聲處理后置于黑暗環(huán)境中靜置；淡黃色沉淀物過(guò)濾后洗滌、干燥，研磨至粉狀顆粒，獲得疏松的g?C3N4顆粒；將其加濃氨水中超聲分散得到分散體系，再轉(zhuǎn)移至水熱反應(yīng)釜進(jìn)行水熱反應(yīng)；水熱反應(yīng)后進(jìn)行冷凍干燥，最終獲得g?C3N4納米球。本發(fā)明解決了g?C3N4和其它材料不易復(fù)合的問(wèn)題，制得產(chǎn)品分散性很好，可配成分散液后與其他半導(dǎo)體材料進(jìn)行復(fù)合；制備的g?C3N4納米球具有大比表面積和高量子效率，增加了表面活性位點(diǎn)，降低了g?C3N4光生電子和空穴的復(fù)合機(jī)率，提高了光催化反應(yīng)效率。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人申乾宏;王輝;楊輝;尤增宇;秦天;
- 地址310058 浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201610856731.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2016年09月27日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN106379874A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2017年02月08日
- 分類(lèi)號(hào)C01B21/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B01J27/24(2006.01)I;B01J35/08(2006.01)I;
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