■ 常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）
———常溫型近紅外探測器，波長范圍：0.8-1.7μm
三種常溫型銦鎵砷探測器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其中：
◆ DInGaAs1600型內(nèi)裝國產(chǎn)小面積InGaAs探測元件（光譜響應(yīng)度曲線參考圖1）
◆ DInGaAs1650型內(nèi)裝國產(chǎn)大面積InGaAs探測元件（光譜響應(yīng)度曲線參考圖2）
◆ DInGaAs1700型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs探測元件（光譜響應(yīng)度曲線參考圖3）
型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
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參 數(shù) |
測試條件 |
DInGaAs1600 |
測試條件 |
DInGaAs1650 |
測試條件 |
DInGaAs1700 |
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小值 |
典型值 |
值 |
小值 |
典型值 |
值 |
小值 |
典型值 |
值 |
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|
光敏面直徑(mm) |
|
1.5 |
|
5 |
|
5 |
||||||
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光譜響應(yīng) |
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900-1600 |
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800-1650 |
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800-1700 |
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范圍(nm) |
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響應(yīng)度Re(A/W) |
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|
|
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@850nm |
0.1 |
0.2 |
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VR=0V @1300nm |
0.8 |
0.85 |
- |
VR=10mV @1310nm |
- |
0.75 |
- |
@1300nm |
0.8 |
0.9 |
|
|
|
VR=0V |
0.85 |
0.9 |
- |
VR=10mV @1550nm |
- |
0.8 |
- |
峰值@1550nm |
|
0.95 |
|
|
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@1550nm |
||||||||||||
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暗電流Io(nA) |
VR=0V |
|
0.1 |
1 |
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10 |
|
VR=0V |
|
5 |
10 |
|
NEP |
|
|
|
|
|
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@1550nm |
0.28 |
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信號(hào)輸出 |
|
電流 |
|
電流 |
|
電流 |
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|
輸出信號(hào) |
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正（P） |
|
正（P） |
|
正（P） |
||||||
■ TE制冷型銦鎵砷探測器（InGaAs）
——TE制冷型近紅外探測器，波長范圍：0.8-2.6μm
TE制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs(x)-TE具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進(jìn)口二級TE制冷銦鎵砷探測元件，光譜響應(yīng)曲線參考圖如下：
型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
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型號(hào)/參數(shù) |
DInGaAs1700-TE |
DInGaAs1900-TE |
DInGaAs2200-TE |
DInGaAs2400-TE |
DInGaAs2600-TE |
|
光敏面直徑(mm) |
3 |
3 |
3 |
3 |
3 |
|
波長范圍(nm) |
800-1700 |
800-1900 |
800-2200 |
800-2400 |
800-2600 |
|
峰值響應(yīng)度(A/W) |
0.9 |
1 |
1.1 |
1.15 |
1.2 |
|
D*(典型值) |
8.4×1013 |
9.1×1012 |
1.9×1012 |
9.6×1011 |
4.9×1011 |
|
NEP(典型值) |
3.2×10-15 |
2.9×10-14 |
1.4×10-13 |
2.8×10-13 |
5.5×10-13 |
|
溫控器型號(hào) |
ZTC |
ZTC |
ZTC |
ZTC |
ZTC |
|
探測器溫度(℃) |
-40 |
-40 |
-40 |
-40 |
-40 |
|
溫度穩(wěn)定度(℃) |
±0.5 |
±0.5 |
±0.5 |
±0.5 |
±0.5 |
|
環(huán)境溫度(℃) |
+10~+40 |
+10~+40 |
+10~+40 |
+10~+40 |
+10~+40 |
|
信號(hào)輸出模式 |
電流 |
電流 |
電流 |
電流 |
電流 |
|
輸出信號(hào)極性 |
正（P） |
正（P） |
正（P） |
正（P） |
正（P） |
|
備注 |
制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC） 推薦使用前置放大器型號(hào)：ZPA-7 |
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銦鎵砷探測器使用建議：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZPA-7（Page85)做為前級放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)；標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測，在制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）進(jìn)行降溫控制；
