二極管、三極管和IC的HBM/MM/CDM ESD測(cè)試

（電子元器件靜電放電敏感度分類試驗(yàn)專用）

一、概述

二極管、三極管和集成電路等電子元器件靜電放電敏感度要用國(guó)際先進(jìn)水平的EST883靜電放電模擬器，它是是專門(mén)為測(cè)量元器件的靜電放電模擬器，它輸出電壓范圍寬（1V～±20kV)，是世界上寬和電壓的靜電放電模擬器，民用，軍用，精度高(1%),分辨率高(1V),其輸出電壓和波形符合以下國(guó)際和標(biāo)準(zhǔn)：

美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883E/F方法3015、MIL-STD-750 方法1020、MIL-PRP-19500、 MIL-PRP-38535

軍標(biāo)GJB548A-97 方法3015 微電子器件試驗(yàn)方法和程序  靜電放電敏感度分類標(biāo)準(zhǔn)要求(等同于美國(guó)軍標(biāo)MIL-STD-883E）

軍標(biāo) GJB1649-93電子產(chǎn)器防靜電放電控制大綱

軍標(biāo) GJB128A　半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法　靜電放電敏感度分類

國(guó)際ESD協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)ANSI/ESD STM 5.1-2001, ANSI/ESD STM 5.2-2001,ANSI/ESD STM 5.3-2001

美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)、MIL-STD-750和IEC747-1

EST883B靜電放電模擬器，測(cè)試能力：2～2400pins 從二極管、三極管到各種IC，核心技術(shù)和器件從美國(guó)引進(jìn)，使您不但能得到技術(shù)水平優(yōu)于或達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平的靜電放電模擬器，還能得到國(guó)際iNARTE(原美國(guó)NARTE）靜電與電磁兼容咨詢專家（Professional　EMC/ESD Consultant)提供的免費(fèi)技術(shù)咨詢和技術(shù)支持,是國(guó)內(nèi)外目前性能價(jià)格比和技術(shù)支持的靜電放電模擬器。

二、技術(shù)指標(biāo)

 測(cè)試能力：2～2400pins 從各類（發(fā)光）二極管、三極管到各種IC，內(nèi)置試驗(yàn)板(IC test board)

 放電網(wǎng)絡(luò)：

 　 HBM MM CDM 符合標(biāo)準(zhǔn)

儲(chǔ)能電容/

放電電阻R（注） 100 pF/1500 Ω (HBM) 200pF/0Ω (MM) ESDA/JEDEC MIL/ESDA/JEDEC/JEITA

 充電電阻（注）： 106～107Ω    

 輸出電壓： ±1V ～ ±20KV 連續(xù)可調(diào) （世界上寬和電壓的靜電放電模擬器，民用，軍用）

模擬器內(nèi)置4個(gè)級(jí)別試驗(yàn)電壓

 輸出電壓示值的容許偏差：　<±1% （0～ ±20KV） 

 輸出電壓穩(wěn)定性: 0.5% (24小時(shí)） 

 電壓顯示分辨率:1V

 輸出電壓極性：正和負(fù)極性（可帶電直接切換） 

 放電電流波形：

Tri(上升時(shí)間）：小于10ns

Tdi(衰減時(shí)間）：150±20ns

Ip(峰值電流）：見(jiàn)表1中所選電壓等級(jí)對(duì)應(yīng)的Ip±10%內(nèi)

Ir(振蕩電流):小于Ip的15%，脈沖100ns后觀察不到

            HBM               MM                      CDM

(MIL-STD-883E和GJB548A-97 方法3015)

 放電操作方式：手動(dòng)單次放電,自動(dòng)連續(xù)：1～10秒一次連續(xù)可調(diào)

 工作環(huán)境： 溫度5-40℃；相對(duì)濕度20-80%，無(wú)凝露；氣壓68-106kPa 

 供電： AC85V～260V, 50/60Hz