BW-4022C半導(dǎo)體綜合測(cè)試系
BW-4022C半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)可同時(shí)針對(duì)：
【光耦】Input:Vf/It/Ct；Output:Iceo/BVceoBVeco;TransferCharacteristics:If/CTR&Vice(sat)/Riso/Cf/Fc/Tr/Tf.
適用于〖三極管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進(jìn)行測(cè)試。
【二極管】
--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；
〖Diode /穩(wěn)壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進(jìn)行測(cè)試。
【壓敏電阻】
〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進(jìn)行測(cè)試。
【鋰亞電池】
〖Kelvin/電池空載電壓（Vbt）/負(fù)載電壓(Vbt_load ) /測(cè)試電流（0-10A 恒流 ）/負(fù)載電壓變化值（▲Vbt_load）/電池內(nèi)阻(Vbt Res) 等進(jìn)行測(cè)試。
【晶振】
〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻（Ri）/頻率精度(Freq_ppm)/測(cè)試頻率范圍（10kHz~10MHz）等測(cè)試。
【其他測(cè)試功能可定制拓展】
BW-4022C半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)是針對(duì)于半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)專用測(cè)試的系統(tǒng)，經(jīng)我公司產(chǎn)品升級(jí)與開(kāi)發(fā)，目前亦可以對(duì)二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，性能、精度、測(cè)試范圍均滿足客戶測(cè)試需求，可用于客戶端來(lái)料檢驗(yàn)、研發(fā)分析、 產(chǎn)品選型等重要檢測(cè)設(shè)備之一。
BW-4022C 半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)采用大規(guī)模 32 位 ARM&MCU 設(shè)計(jì)， PC 中文操作界面，程控軟件基于 Lab VIEW 平臺(tái)， 填充調(diào)用式菜單操作界面，測(cè)試界面簡(jiǎn)潔 靈活、人機(jī)界面友好。配合開(kāi)爾文綜合集成測(cè)試插座，根據(jù)不同器件更換測(cè)試座配合，系統(tǒng)可適配設(shè)置完成對(duì)二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
該測(cè)試系統(tǒng)主要由測(cè)試主機(jī)和程控電腦及外部測(cè)試夾具三部分組成，并接受客戶端MES系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試指令：方案選取/開(kāi)始/暫停/停止/數(shù)據(jù)上傳等操作執(zhí)行，并可將測(cè)試數(shù)據(jù)上傳至MES系統(tǒng)由客戶端處理。
一、設(shè)備規(guī)格與環(huán)境要求
物理規(guī)格
主機(jī)尺寸：深 660*寬 430*高 210(mm) 臺(tái)式
主機(jī)重量：＜25kg
產(chǎn)品色系：白色系
工況環(huán)境
主機(jī)功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超過(guò) 1500m；
環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）；
相對(duì)濕度： 20%RH～75%RH (無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下)；
大氣壓力：86Kpa～106Kpa；
防護(hù)條件：無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等；
供電要求
電源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；
工作時(shí)間：連續(xù)；
二、測(cè)試種類與技術(shù)指標(biāo)
1、光耦測(cè)試：
輸入（Input）相關(guān)參數(shù)
· 正向電壓（Forward Voltage）：
· 符號(hào)：Vf
· min小值：無(wú)
· 典型值：1.2 V
· MAX值：1.4 V
· 單位：V
· 測(cè)試條件：If=20mA
· 反向電流（Reverse Current）：
· 符號(hào)：Ir
· min小值：無(wú)
· 典型值：無(wú)
· MAX值：10 μA
· 單位：μA
· 測(cè)試條件：Vr=4V
輸出（Output）相關(guān)參數(shù)
· 集電極暗電流（Collector Dark Current）：
· 符號(hào)：Iceo
·min 小值：無(wú)
· 典型值：無(wú)
· MAX值：100 nA
· 單位：nA
· 測(cè)試條件：Vce-20V,If=0
· 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：
· 符號(hào)：BVceo
· min小值：80 V
· 典型值：無(wú)
· MAX值：無(wú)
· 單位：V
· 測(cè)試條件：Ic-0.1mA,If=0
· 發(fā)射極 - 集電極擊穿電壓（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：
· 符號(hào)：BVeco
· min小值：6 V
· 典型值：無(wú)
· MAX值：無(wú)
· 單位：V
· 測(cè)試條件：Ie-10μA,,If=0
· 集電極電流（Collector Current）：
· 符號(hào)：Ic
· min小值：2.5 mA
· 典型值：無(wú)
· MAX值：30 mA
· 單位：mA
· 測(cè)試條件：If=5mA,Vce-5V
· 電流傳輸比（Current Transfer Ratio）：
· 符號(hào)：CTR
· min小值：50 %
· 典型值：無(wú)
· MAX值：600 %
· 單位：%
· 測(cè)試條件：If=5mA,Vce-5V
傳輸特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相關(guān)參數(shù)
· 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（Collector-Emitter Saturation Voltage）：
· 符號(hào)：Vce
· min小值：無(wú)
· 典型值：0.1 V
· MAX值：0.2 V
· 單位：V
· 測(cè)試條件：If=20mA,Ic-1mA
· 隔離電阻（Isolation Resistance）：
· 符號(hào)：Riso
· min小值： Ω
· 典型值： Ω
· MAX值：無(wú)
· 單位：Ω
· 測(cè)試條件：DC500V, 40 - 60% R.H.
?。ㄒ陨蠀?shù)基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數(shù)）
· 三極管管型光耦
測(cè)試參數(shù) | 符號(hào) | 量程 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試條件 | 測(cè)量精度 |
輸入正向?qū)▔航?/p> | Vf1 | 0-10V | +-10V | 0-4A | 1%+FullRange0.1%+-2mV |
反向擊穿電壓（耐壓） | Bvceo1 Bveco1 | 1 | +-1V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-1mV |
2 | +-10V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-2mV | ||
3 | +-100V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-20mV | ||
4 | +-1000V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-200mV | ||
5 | +-2000V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-2V | ||
反向漏電流 | Iceo1 Ir1 | 1 | +-100nA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-7nA |
2 | +-1uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-10nA | ||
3 | +-10uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-10nA | ||
4 | +-100uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-30nA | ||
5 | +-1mA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-300nA | ||
6 | +-10mA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-3uA | ||
7 | +-100mA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-30uA | ||
輸出導(dǎo)通壓降 | Vce(sat)1 | 0-10V | +-10V | 1%+FullRange0.1%+-2mV | |
輸入輸出電流傳輸比 | 2 | 600 | 1%+FullRange0.5%+-5 | ||
3 | 6000 | 1%+FullRange0.5%+-10 | |||
4 | 60000 | 1%+FullRange0.5%+-20 |
· 可控硅光耦
測(cè)試參數(shù) | 符號(hào) | 量程 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試條件 | 測(cè)量精度 |
輸入正向?qū)▔航?/p> | Vf1 | 0-10V | +-10V | 0-4A | 1%+FullRange0.1%+-2mV |
反向擊穿電壓（耐壓） 輸入觸發(fā)電流 | Vdrm vrrm ift | 1 | +-1V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-1mV |
2 | +-10V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-2mV | ||
3 | +-100V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-20mV | ||
4 | +-1000V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-200mV | ||
5 | +-2000V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-2V | ||
反向漏電流 | irrm idrm ir1 | 1 | +-100nA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-7nA |
2 | +-1uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-10nA | ||
3 | +-10uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-10nA | ||
4 | +-100uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-30nA | ||
5 | +-1mA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-300nA | ||
6 | +-10mA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-3uA | ||
7 | +-100mA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-30uA | ||
1%+FullRange0.1%+-2mV | |||||
輸入LED正向壓降 輸出導(dǎo)通壓降 | Vf1 vtm | 0-10V | +-10V | 1%+FullRange0.5%+-5 | |
0-10V | +-10V | 1%+FullRange0.5%+-10 | |||
0-400ma | 1%+FullRange0.5%+-20 | ||||
vih | |||||
ih | |||||
IL | |||||
C_vtm |
· 繼電器光耦
測(cè)試參數(shù) | 符號(hào) | 量程 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試條件 | 測(cè)量精度 |
輸入正向?qū)▔航?/p> | Vf1 | 0-10V | +-10V | 0-4A | 1%+FullRange0.1%+-2mV |
反向擊穿電壓（耐壓） | VL1 VL2 | 1 | +-1V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-1mV |
2 | +-10V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-2mV | ||
3 | +-100V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-20mV | ||
4 | +-1000V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-200mV | ||
5 | +-2000V | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-2V | ||
反向漏電流 | Ir1 Ir2 | 1 | +-100nA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-7nA |
2 | +-1uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-10nA | ||
3 | +-10uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-10nA | ||
4 | +-100uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-30nA | ||
5 | +-1mA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-300nA | ||
6 | +-10mA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-3uA | ||
7 | +-100mA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-30uA | ||
輸出導(dǎo)通內(nèi)阻 | ROn1 ROn2 | 0-10V | +-10V | 0-40A | 1%+FullRange0.1%+-2mV |
輸入輸出電流傳輸比 | 2 | 600 | 1%+FullRange0.5%+-5 | ||
3 | 6000 | 1%+FullRange0.5%+-10 | |||
4 | 60000 | 1%+FullRange0.5%+-20 |
2、二極管類測(cè)試
· 二極管類：二極管
· Diode
· Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（選配）；
二極管類：穩(wěn)壓二極管
· ZD（Zener Diode）
· Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；
二極管類：穩(wěn)壓二極管
· ZD（Zener Diode）
· Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；
二極管類：三端肖特基二極管 SBD（SchottkyBarrierDiode）
· Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；
二極管類： 瞬態(tài)二極管
· TVS
· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ；
二極管類：整流橋堆
· Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；
二極管類：三相整流橋堆
· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；
測(cè)試參數(shù) | 符號(hào) | 量程 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試條件 | 測(cè)量精度 |
正向?qū)▔航?/p> | VF1 VF2 VF3 VF4 VF5 VF6 | 0-10V | +-10V | 0-40A（選配） 0-100A(標(biāo)配) 0-200A（選配） 0-300A（選配） | 0.5%+FullRange0.1%+-2mV |
反向擊穿電壓（耐壓） | Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5 Vrrm6 | 1 | +-1V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-1mV |
2 | +-10V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-2mV | ||
3 | +-100V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-20mV | ||
4 | +-1000V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-200mV | ||
5 | +-2000V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-2V | ||
反向漏電流 | Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5 Irrm6 | 1 | +-100nA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-5nA |
2 | +-1uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-10nA | ||
3 | +-10uA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-10nA | ||
4 | +-100uA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-30nA | ||
5 | +-1mA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-300nA | ||
6 | +-10mA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-3uA | ||
7 | +-100mA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-30uA |
3、壓敏電阻測(cè)試
· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、 △Vr ;（參數(shù)配置精度與二極管一致）
測(cè)試參數(shù) | 符號(hào) | 量程 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試條件 | 測(cè)量精度 |
正向?qū)▔航?/p> | VF1 VF2 VF3 VF4 VF5 VF6 | 0-10V | +-10V | 0-40A（選配） 0-100A(標(biāo)配) 0-200A（選配） 0-300A（選配） | 0.5%+FullRange0.1%+-2mV |
壓敏電壓（1mA） | Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5 Vrrm6 | 1 | +-1V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-1mV |
2 | +-10V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-2mV | ||
3 | +-100V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-20mV | ||
4 | +-1000V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-200mV | ||
5 | +-2000V | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-2V | ||
反向漏電流 | Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5 Irrm6 | 1 | +-100nA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-5nA |
2 | +-1uA | 0-2000V | 1%+FullRange0.1%+-10nA | ||
3 | +-10uA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-10nA | ||
4 | +-100uA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-30nA | ||
5 | +-1mA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-300nA | ||
6 | +-10mA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-3uA | ||
7 | +-100mA | 0-2000V | 0.5%+FullRange0.1%+-30uA |
4、鋰亞電池測(cè)試
· Kelvin(0~150mV)
· 電池空載電壓（Vbt） 0-100V +-0.2%
· 負(fù)載電壓(Vbt_load ) 0-100V +-0.5% 測(cè)試電流（0-10A 恒流 ）
· 負(fù)載電壓變化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 測(cè)試電流（0-10A 恒流 ）
· 電池內(nèi)阻(Vbt Res) 0-10v +-5% 測(cè)試電流（0-10A 脈沖 ）
5、晶振測(cè)試
· 震蕩頻率(Freq_osc )
· 諧振電阻（Ri）
· 頻率精度(Freq_ppm)
· 測(cè)試頻率范圍（10kHz~10MHz）
測(cè)試參數(shù) | 符號(hào) | 量程 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試條件 | 測(cè)量精度 |
震蕩頻率 | Fosc | 10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz | 10kHz~10MHz | 0.1Hz | |
諧振電阻 | Rz | 0~100K | ±10% | ||
頻率精度 | ppm | 0-1000 | 0.01% |
三、參數(shù)配置與性能指標(biāo)
1. 電流/電壓源 VIS自帶VI測(cè)量單元
1）加壓（FV）
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40V | 19.5mV | ± 1%設(shè)定值+FullRange0.1%± 19.5mV |
±20V | 10mV | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10mV |
±10V | 5mV | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±5mV |
±5V | 2mV | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV |
±2V | 1mV | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV |
2)加流(FI)：
量程 | 分辨率 | 精度 |
±100A | 195mA | ±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±100mA |
±40A | 19.5mA | ±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±30mA |
±4A | 1.95mA | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mA |
±400mA | 119.5uA | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200uA |
±40mA | 11.95uA | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20uA |
±4mA | 195nA | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA |
±400uA | 19.5nA | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA |
±40uA | 1.95nA | ±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2nA |
說(shuō)明：電流大于1.5A自動(dòng)轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出，脈寬范圍：300us-1000us可調(diào)
3). 電流測(cè)量(MI)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±100A | 12.2mA | ±5% 讀數(shù)值+FullRange0.2%±100mA |
±40A | 1.22mA | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mA |
±4A | 122uA | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mA |
±400mA | 12.2uA | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uA |
±40mA | 1.22uA | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uA |
±4mA | 122nA | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2uA |
±400uA | 12.2nA | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200nA |
±40uA | 1.22nA | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20nA |
4). 電壓測(cè)量(MV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40V | 1.22mV | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV |
±20V | 122uV | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV |
±10V | 12.2uV | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV |
±5V | 1.22uV | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV |
2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM （16位ADC，100K/S采樣速率）
1). 電壓測(cè)量(MV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±2000V | 1.22mV | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV |
±100V | 122uV | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV |
±10V | 12.2uV | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV |
±1V | 1.22uV | ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV |
2). 漏電流測(cè)量(MI)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±100mA | 30uA | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30uA |
±10mA | 3uA | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±3uA |
±1mA | 300nA | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±300nA |
±100uA | 30nA | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30nA |
±10uA | 3nA | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA |
±1uA | 300pA | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA |
±100nA | 30pA | ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±5nA |
3. 高壓源 HVS(基本)16位DAC
1).加壓(FV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
2000V/10mA | 30.5mV | ±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV |
200V/10mA | 30.5mV | ±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV |
40V/50mA | 30.5mV | ±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV |
2).加流(FI)：
量程 | 分辨率 | 精度 |
10mA | 4.88uA | ±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10uA |
2mA | 488nA | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2uA |
200uA | 48.8nA | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA |
20uA | 4.88nA | ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA |
2uA | 488pA | ±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10nA |
