低阻型四探針檢測儀/方阻儀/四探針電阻率檢測儀 型號;DP-KDY-1儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法（2）范圍：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，分辨率為10-5歐姆·厘米方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，小分辨率為10-4歐姆/□（3）可測量材料：半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊、片、導(dǎo)電薄膜等可準確測量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥20㎜可測量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥8㎜（4）測量方式：平面測量。（5）電壓表：雙數(shù)字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化A.量程0~19.999 mVB.基本誤差±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)C.靈敏度：1uVD輸入阻抗﹥1000MΩE 4 1/2位數(shù)字顯示，0～19999（6）恒流源：A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續(xù)可調(diào)，有交流電源供給B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔 C.恒流源度：各檔均≤±0.05%（7）四探針測試探頭A.探頭間距1.59㎜B.探針機械游率：±0.3%C.探針直徑0.8㎜D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他分之間的緣電阻大于109歐姆。（8）測試架：（選配）手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架探頭上下由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可上下移動距離：120mm，測試臺面200x200(mm)。（9）度電器度：1-1000歐姆≤0.3 %整機測量度：1-100歐姆·厘米≤3%（10）電流：220V±10%，50HZ，率消耗﹤35W注：如果測金屬粉末電阻率把樣品壓成塊或片才能測