近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)、周鵬教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)出具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失性存儲(chǔ)原型器件，開(kāi)創(chuàng)了第三類存儲(chǔ)技術(shù)，不僅可以實(shí)現(xiàn)“內(nèi)存級(jí)”的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度，還可以按需定制存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)周期，可謂是半導(dǎo)體行業(yè)的顛覆性技術(shù)。
據(jù)介紹，此次研發(fā)的新型電荷存儲(chǔ)技術(shù)，既滿足了10納秒寫(xiě)入數(shù)據(jù)速度，又實(shí)現(xiàn)了按需定制(10秒-10年)的可調(diào)控?cái)?shù)據(jù)準(zhǔn)非易失特性，寫(xiě)入速度比目前U盤(pán)快10000倍，數(shù)據(jù)刷新時(shí)間是內(nèi)存技術(shù)的156倍。此技術(shù)將在極低功耗高速存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)有效期自由度利用等多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
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