高溫銅氧化物的超導(dǎo)電性是凝聚態(tài)物理中的一個重要問題。圍繞該研究，目前國內(nèi)外科學(xué)家在該領(lǐng)域已經(jīng)做了大量工作，其中包括研究具有相似結(jié)構(gòu)的替代過渡金屬氧化物中的三維電子機制。遺憾的是，在這些類似的化合物中沒有一種呈現(xiàn)超導(dǎo)性。
近期，美國阿貢實驗室科研人員研究發(fā)現(xiàn)低價準二維三層化合物Pr4Ni3O8沒有出現(xiàn)La4Ni3O8中的電荷條紋序，取而代之的是從而表現(xiàn)出金屬性。X射線吸收光譜表明，金屬Pr4Ni3O8在費米能之上的未被占據(jù)態(tài)具有低自旋構(gòu)型，具有明顯的軌道化和明顯的dx2-y2特征，這正是銅氧化物超導(dǎo)體的重要特點。密度泛函理論計算也證實了這一結(jié)果，并表明dx2-y2軌道在近Ef能占據(jù)態(tài)中也占主導(dǎo)地位。因此，Pr4Ni3O8屬于空穴摻雜銅氧化物的3d電子機制，它是迄今為止報道的接近銅氧化物超導(dǎo)的類似材料之一，如果可以實現(xiàn)電子摻雜則有望在該體系中實現(xiàn)高溫超導(dǎo)性。相關(guān)結(jié)果發(fā)表在Nature Physics（Volume 13, pages 864–869 (2017), DOI: 10.1038/NPHYS4149）。
該項研究工作所用R4Ni3O10 (R=La,Pr)單晶樣品由德國SciDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐成功制備。其中，La4Ni3O10單晶生長采用20bar氧壓條件，Pr4Ni3O10單晶生長采用140bar氧壓條件，O2流速為0.1L/min；R4Ni3O8單晶樣品由R4Ni3O10單晶樣品去除O2獲得。
高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐
垂直式雙鏡設(shè)計
加熱區(qū)原理圖
德國SciDre公司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐高可實現(xiàn)高達3000℃高溫，高壓力可達300bar，多種規(guī)格可根據(jù)用戶需求提供選擇，該單晶生長系統(tǒng)一經(jīng)推出便備受國內(nèi)廣大同行青睞！目前中國科學(xué)院物理研究所、中國科學(xué)院固體物理研究所、北京師范大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海大學(xué)、南昌大學(xué)以及中山大學(xué)等眾多用戶均選擇了該設(shè)備！
