近期，德國Scientific Instruments Dresden GmbH（下文簡稱：ScIDre）公司生產的HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)爐在中國電子科技集團公司第九研究所順利完成安裝調試。
圖1：德國ScIDre制造商工程師安裝現(xiàn)場圖片
圖2：設備運行、調試現(xiàn)場圖片
光學浮區(qū)法單晶生長工藝具有無需坩堝、無污染、生長快速、易于實時觀察晶體生長狀態(tài)等諸多優(yōu)點，有利于縮短晶體的研究周期并加快難以生長晶體的研究進展，非常適合晶體生長研究，是目前比較公認的獲得優(yōu)質單晶樣品的手段之一，現(xiàn)已被廣泛應用于各種超導材料、介電和磁性材料以及其它各種氧化物及金屬間化合物的單晶生長。目前，高熔點、易揮發(fā)性材料是浮區(qū)法單晶生長領域的技術難點之一。針對于此，德國ScIDre公司研發(fā)推出了HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐，設備可提供高達3000℃以上的生長溫度，同時晶體生長腔可實現(xiàn)高達300bar的壓力，可通過高壓手段達到抑制揮發(fā)的作用。HKZ的誕生進一步優(yōu)化了光學浮區(qū)法單晶爐的生長工藝條件，拓寬了光學浮區(qū)技術的應用場景，使得高熔點、易揮發(fā)性材料的單晶生長成為了可能。
圖3：德國ScIDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐
德國ScIDre公司HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐技術特色：
? 采用垂直式光路設計方案，加熱更均勻
? 可同時實現(xiàn)壓力高達300bar（選配）和溫度高達3000℃（選配）；
? 能夠獨立控制不同氣體的流速和流量，能夠實現(xiàn)樣品生長的氣體定速、定量混合供氣；
? 在保持氙燈輸出功率恒定的情況下，采用調節(jié)光闌（shutter）的方式對熔區(qū)進行控溫；
? 能夠針對不同溫度需求采用不同功率的氙燈，從而對燈泡進行有效利用，充分發(fā)揮燈泡使用效率和壽命；
? 擁有豐富的功能選件可進行選擇和拓展，包括專利熔區(qū)紅外測溫選件、1×10-5mbar的高真空選件、實現(xiàn)氧含量達10-12PPM的氣體除雜選件、對長成的單晶可提供高壓氧環(huán)境退火裝置選件等。
圖4：高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐光路原理示意圖
中國電子科技集團公司第九研究所（西南應用磁學研究所），主要從事磁性功能材料方向的研發(fā)、生產和基礎研究，是我國磁學領域重要的綜合性應用磁學研究機構之一。Quantum Design中國非常榮幸將德國ScIDre公司生產的HKZ高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐安裝于中國電子科技集團公司第九研究所，該系統(tǒng)將為用戶單位在磁性功能材料及其他新材料探索等諸領域的科研工作提供相關單晶樣品制備支持！
相關產品：
1.壓光學浮區(qū)爐：http://www.buyu5683.com/product/20180717142.shtml
