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四電弧高溫單晶生長爐順利落戶天津工業(yè)大學(xué),推動高溫單晶材料研究!

教育裝備采購網(wǎng) 2024-02-04 19:59 圍觀14540次

  近期,日本GES CORPORATION公司(下文簡稱:GES)公司生產(chǎn)的TAC-5100J型四電弧高溫單晶生長爐在天津工業(yè)大學(xué)順利完成安裝調(diào)試。

四電弧高溫單晶生長爐順利落戶天津工業(yè)大學(xué),推動高溫單晶材料研究!

設(shè)備運(yùn)行現(xiàn)場圖片

四電弧高溫單晶生長爐順利落戶天津工業(yè)大學(xué),推動高溫單晶材料研究!

攝像頭實(shí)時(shí)顯示晶體生長狀態(tài)

四電弧高溫單晶生長爐順利落戶天津工業(yè)大學(xué),推動高溫單晶材料研究!

用戶操作單晶爐圖片

  四電弧高溫單晶生長爐采用電弧放電的高溫材料合成方法,非常適合生長化學(xué)性質(zhì)活躍但熔點(diǎn)較高(可高達(dá)3000℃左右)的金屬間化合物,包括含有稀土元素(或者金屬鈾)的二元及四元金屬間化合物,例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17, CePd2Al3, REFe10Ti2合金單晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5合金單晶。生長的過程中,原料放在旋轉(zhuǎn)的銅坩堝中,四個(gè)電極同時(shí)放電形成高溫熔化原料,精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法將熔化的原料拉成單晶。

  應(yīng)用領(lǐng)域:

  非常適合生長化學(xué)性質(zhì)活躍但熔點(diǎn)較高(可高達(dá)3000℃左右)的金屬間化合物,包括含有稀土元素(或者金屬鈾)的二元及四元金屬間化合物。

  產(chǎn)品特點(diǎn):

  *  采用四電弧法加熱

  *  可實(shí)現(xiàn)3000°C高溫

  *  適用于金屬間化合物材料

  天津工業(yè)大學(xué)王文洪老師多年來致力于新型磁電子學(xué)材料設(shè)計(jì)與開發(fā)、拓?fù)浯烹娮訉W(xué)材料與物理、磁存儲與信息器件等磁學(xué)相關(guān)領(lǐng)域的研究工作。Quantum Design中國非常榮幸將日本GES公司生產(chǎn)的TAC-5100J四電弧高溫單晶生長爐安裝于天津工業(yè)大學(xué),該設(shè)備將為用戶單位在磁性及其他新材料相關(guān)領(lǐng)域的科研工作提供相關(guān)單晶樣品制備支持!

四電弧高溫單晶生長爐順利落戶天津工業(yè)大學(xué),推動高溫單晶材料研究!

  相關(guān)產(chǎn)品:

  1.四電弧高溫單晶生長爐http://www.buyu5683.com/product/20160315762.shtml

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