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25年中小學(xué)科學(xué)發(fā)展大會(huì) 校體購2
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  • ? SOT自旋軌道轉(zhuǎn)移矩新成果登上Adv. Sci！M81多通道高精度低噪聲綜合電學(xué)測量儀助力電輸運(yùn)關(guān)鍵數(shù)據(jù)測量

    SOT自旋軌道轉(zhuǎn)移矩新成果登上Adv. Sci！M81多通道高精度低噪聲綜合電學(xué)測量儀助力電輸運(yùn)關(guān)鍵數(shù)據(jù)測量

    早在1996年，JohnSlonczewski和LucBerger就提出一個(gè)理論，即大密度電流可以驅(qū)動(dòng)磁化翻轉(zhuǎn)，這被稱為自旋轉(zhuǎn)移矩（spintransfertorque）。該理論指出電荷的運(yùn)動(dòng)也可以影響自旋...
    2024-07-12 圍觀98次 [方案]
  • ? 聚勢(shì)煥新！全新高端設(shè)備、升級(jí)化解決方案推薦！

    聚勢(shì)煥新！全新高端設(shè)備、升級(jí)化解決方案推薦！

    近日，國務(wù)院印發(fā)了《推動(dòng)大規(guī)模設(shè)備更新和消費(fèi)品依舊換新行動(dòng)方案》，要求“到2027年，工業(yè)、農(nóng)業(yè)、建筑、交通、教育、文旅、醫(yī)療等領(lǐng)域設(shè)備投資規(guī)模較2023年增長25%以上”...
    2024-03-25 圍觀582次
  • ? 磁光克爾效應(yīng)系統(tǒng)再發(fā)Nature：全反鐵磁隧道結(jié)新突破！

    磁光克爾效應(yīng)系統(tǒng)再發(fā)Nature：全反鐵磁隧道結(jié)新突破！

    巨磁阻效應(yīng)自發(fā)現(xiàn)以來就被廣泛應(yīng)用于MRAM、磁傳感器等自旋電子器件中。目前，基于巨磁阻效應(yīng)的自旋電子器件主要是鐵磁體磁隧道結(jié)，其研究和發(fā)展受限于鐵磁體的使用。因此，...
    2023-07-26 圍觀3094次 [技術(shù)]
  • ? 《Small》：精確調(diào)控樣品磁性！氦離子輻照改善磁疇壁動(dòng)力學(xué)和斯格明子穩(wěn)定性，讓低能耗設(shè)備更高效！

    《Small》：精確調(diào)控樣品磁性！氦離子輻照改善磁疇壁動(dòng)力學(xué)和斯格明子穩(wěn)定性，讓低能耗設(shè)備更高效！

    近年來，人們?cè)诓粩嗵剿餍滦偷湍芎?、高存?chǔ)密度的磁存儲(chǔ)材料，特別是對(duì)于磁疇壁動(dòng)力學(xué)、斯格明子等方面的研究吸引了大批科研人員的目光。隨著研究的深入，制備出具有特定磁...
    2023-06-21 圍觀7281次 [方案]
  • ? 磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）和斯格明子研究的新利器！可調(diào)控磁性薄膜或晶圓磁性的離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?

    磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）和斯格明子研究的新利器！可調(diào)控磁性薄膜或晶圓磁性的離子輻照磁性精細(xì)調(diào)控系統(tǒng)Helium-S?

    今年1月，三星電子在學(xué)術(shù)期刊Nature上發(fā)表了全球基于MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）的存內(nèi)計(jì)算研究。存內(nèi)計(jì)算由于毋需數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)器和處理器間移動(dòng)，大大降低了AI計(jì)算的功耗，被視作...
    2022-05-12 圍觀2389次 [技術(shù)]
  • ? 致真磁光克爾顯微鏡助力全線性神經(jīng)元-SOT磁性存儲(chǔ)器件研究取得新進(jìn)展

    致真磁光克爾顯微鏡助力全線性神經(jīng)元-SOT磁性存儲(chǔ)器件研究取得新進(jìn)展

    存算一體及人工智能神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片采用非馮諾依曼架構(gòu)體系，可大降低數(shù)據(jù)的訪問延遲和傳輸能耗，提升計(jì)算速度。SOT-MRAM以其高速、高耐久度等優(yōu)點(diǎn)，在此類應(yīng)用中將發(fā)揮巨大的...
    2021-11-26 圍觀681次 [技術(shù)]
  • ? 采用原子層沉積（ALD）技術(shù)的下一代儲(chǔ)存技術(shù)

    采用原子層沉積（ALD）技術(shù)的下一代儲(chǔ)存技術(shù)

    隨著人工智能(AI)、深度學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)、game及5G移動(dòng)技術(shù)快速發(fā)展，導(dǎo)致數(shù)據(jù)儲(chǔ)存量上升，半導(dǎo)體內(nèi)存被要求低耗化。為解決這個(gè)問題目前商用化的有Dram，F(xiàn)lashMemory(NAND)等儲(chǔ)...
    2021-07-01 圍觀1373次 [技術(shù)]
  • ? 技術(shù)線上論壇 | 6月3日《磁疇觀測新利器！可定量測磁場的NV色心超分辨量子磁學(xué)顯微鏡》

    技術(shù)線上論壇 | 6月3日《磁疇觀測新利器！可定量測磁場的NV色心超分辨量子磁學(xué)顯微鏡》

    [報(bào)告簡介]磁性材料的顯微觀測有助于材料的微觀結(jié)構(gòu)及其形成機(jī)理的研究，隨著科研的發(fā)展，磁性材料研究的尺度已經(jīng)趨向于亞微米甚至納米，因此，超高分辨和超高靈敏度的測試...
    2020-05-30 圍觀1811次 [動(dòng)態(tài)]
  • ? 基于NV色心的超分辨量子磁學(xué)顯微鏡助力新型磁存儲(chǔ)研究

    基于NV色心的超分辨量子磁學(xué)顯微鏡助力新型磁存儲(chǔ)研究

    隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，集成電路的關(guān)鍵尺寸已經(jīng)趨向于幾納米或更小。在2019年的日本SFF（三星晶圓代工論壇）會(huì)議上，三星公布了3nm工藝的具體指標(biāo)，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3...
    2020-05-11 圍觀5113次 [新品]
  • ? IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)助力磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）應(yīng)用發(fā)展

    IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)助力磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）應(yīng)用發(fā)展

    磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（Magneticrandomaccessmemory，MRAM）是一種利用讀取磁阻大小為原理的新型非易失性（Non-Volatile）隨機(jī)存儲(chǔ)器，與其他存儲(chǔ)技術(shù)相比，MRAM在速度、面積、寫入...
    2019-05-14 圍觀870次 [應(yīng)用]
  • ? 納米接觸磁隧道結(jié)中自旋轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動(dòng)的高階傳播自旋波

    納米接觸磁隧道結(jié)中自旋轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動(dòng)的高階傳播自旋波

    早期的磁隧道結(jié)依靠磁場實(shí)現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn)，這種方式往往功耗較高，隨著工藝尺寸減小,寫入電流將急劇增大,難以在納米磁隧道結(jié)中推廣應(yīng)用。1996年,Slonczewski和Berger從理論上預(yù)...
    2019-04-28 圍觀3073次 [應(yīng)用]
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    MOKE磁性系統(tǒng)助力中國磁隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)的騰飛

    磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM)利用磁隧道結(jié)自由層磁矩取向不同引起的磁阻不同作為存儲(chǔ)單位0和1，同時(shí)結(jié)合傳統(tǒng)的磁存儲(chǔ)(PMR)非易失性及靜/動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM/DRAM)讀寫速度快...
    2017-10-11 圍觀5703次 [方案]