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IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)助力磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)應(yīng)用發(fā)展

教育裝備采購網(wǎng) 2019-05-14 15:08 圍觀851次


  磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(Magnetic random access memory,MRAM)是一種利用讀取磁阻大小為原理的新型非易失性(Non-Volatile)隨機(jī)存儲(chǔ)器,與其他存儲(chǔ)技術(shù)相比,MRAM在速度、面積、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達(dá)到較好的折中,被業(yè)界認(rèn)為是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之一。因此,近些年來MRAM引起了不少科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的關(guān)注,相應(yīng)的高端測試設(shè)備需求也隨之增加,而Hprobe公司生產(chǎn)的IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)為一個(gè)不錯(cuò)的選擇?! ?/p>

IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)助力磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)應(yīng)用發(fā)展

IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)


  與傳統(tǒng)的探針臺(tái)相比,IBEX-300是專門用于晶圓片在磁場下的表征和測試的儀器。它基于技術(shù)的三維磁場發(fā)生裝置來進(jìn)行超快的磁阻測試,整個(gè)測試過程全自動(dòng)完成,可以根據(jù)用戶的測試需要來自定義測試程序,為磁性器件(傳感器和存儲(chǔ)器)的開發(fā)、工藝和生產(chǎn)帶來了完整的測試解決方案。


主要應(yīng)用方向:

磁性隧道結(jié)

磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

集成磁傳感器(Hall, GMR, TMR)

智能傳感器


主要測試模式:

開路/短路 測試

AC/DC I-V, R-V 測試

AC/DC 擊穿電壓測試

讀/寫脈沖測試

R-H 角度/幅值 回線測試

誤碼率測試

器件循環(huán)和穩(wěn)定性測試


IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)助力磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)應(yīng)用發(fā)展三維磁場發(fā)生裝置

IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)助力磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)應(yīng)用發(fā)展

超快磁場掃描


  三維磁場發(fā)生裝置可以實(shí)現(xiàn)各磁場空間軸的立驅(qū)動(dòng),也可以控制磁場在任意空間方向,以及產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場等。磁場的掃描采樣速率可由靜態(tài)磁場控制到幅值超過10,000步/秒。


IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)助力磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)應(yīng)用發(fā)展

測試程序界面


IBEX-300晶圓超快三維磁場探針臺(tái)助力磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)應(yīng)用發(fā)展

良率測試結(jié)果示意圖


  目前Hprobe公司已經(jīng)向全球多個(gè)半導(dǎo)體工廠交付了IBEX-300三維磁場探針臺(tái),同時(shí)面向客戶開放部分樣品測試。

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