摘要：本發(fā)明涉及SOI基上LDMOS器件。本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的器件未成熟擊穿的問題，以及漏極擴展區(qū)摻雜濃度與器件耐壓的矛盾，公開了一種絕緣襯底上的硅基p溝道橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件。本發(fā)明的技術(shù)方案是，p溝道橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，包括沿Y方向自下而上的襯底、埋氧層、n型摻雜層；所述n型摻雜層X方向一端形成源極n阱，另一端形成漏極p阱，源極n阱和漏極p阱之間為漏極擴展區(qū)；所述漏極擴展區(qū)由沿Z方向交錯并排的n型雜質(zhì)條和p型雜質(zhì)條構(gòu)成，所述n型雜質(zhì)條和p型雜質(zhì)條X方向的兩端分別與源極n阱和漏極p阱相接。本發(fā)明提高了器件耐壓的同時，降低了器件導通電阻，非常適合用于制造PDP尋址集成電路。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人四川長虹電器股份有限公司;
- 發(fā)明人廖紅;羅波;
- 地址621000 四川省綿陽市高新區(qū)綿興東路35號
- 申請?zhí)?/b>CN201010300959.9
- 申請時間2010年01月29日
- 申請公布號CN101777584B
- 申請公布時間2011年12月07日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;
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