摘要：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)。本發(fā)明解決了現(xiàn)有常規(guī)體硅LDMOS器件只關(guān)注該器件表面電場優(yōu)化的問題，提供了一種體內(nèi)場調(diào)制的體硅LDMOS器件，其技術(shù)方案可概括為：體內(nèi)場調(diào)制的體硅LDMOS器件，其在第一型雜質(zhì)襯底中水平設(shè)置有第二型雜質(zhì)浮空層，第二型雜質(zhì)浮空層與第二型雜質(zhì)外延層之間的垂直距離大于零。本發(fā)明的有益效果是，其在第一型雜質(zhì)襯底中引入第二型雜質(zhì)浮空層電荷，所引入的電荷與第一型雜質(zhì)襯底相互作用會增加該器件的表面場，同時其促使耗盡層向第一型雜質(zhì)襯底延伸，減小該器件縱向電場強(qiáng)度，且第二型雜質(zhì)浮空層能夠?qū)τ谄骷茀^(qū)中橫向電場與縱向電場進(jìn)行調(diào)制，適用于體硅LDMOS器件。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人四川長虹電器股份有限公司;
- 發(fā)明人梁濤;羅波;孫鎮(zhèn);
- 地址621000 四川省綿陽市高新區(qū)綿興東路35號
- 申請?zhí)?/b>CN201010579333.6
- 申請時間2010年12月08日
- 申請公布號CN102082177A
- 申請公布時間2011年06月01日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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