摘要：本發(fā)明涉及一種脈沖調(diào)制射頻等離子體增強(qiáng)原子層沉積裝置及方法，所述的脈沖調(diào)制射頻等離子體增強(qiáng)原子層沉積裝置，包括真空反應(yīng)腔體，真空反應(yīng)腔體內(nèi)底部設(shè)有基底，真空反應(yīng)腔體分別連接真空機(jī)械泵和前驅(qū)體輸入管路，其特征在于，真空反應(yīng)腔體內(nèi)頂部設(shè)有等離子體電極，等離子體電極依次連接射頻功率匹配器、脈沖調(diào)制射頻電源和脈沖延時(shí)器。所述的方法為在沉積至少一種前驅(qū)體時(shí)，通過脈沖調(diào)制射頻電源產(chǎn)生等離子體輔助沉積。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是降低了沉積過程中離子轟擊對(duì)沉積薄膜的影響，并且防止沉積過程中腔體溫度的上升。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人東華大學(xué);無錫邁納德微納技術(shù)有限公司;
- 發(fā)明人石建軍;劉新坤;黃曉江;梅永豐;
- 地址201620 上海市松江區(qū)人民北路2999號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201110041566.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年02月21日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102127756A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2011年07月20日
- 分類號(hào)C23C16/505(2006.01)I;
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