摘要：本發(fā)明公開了一種抗總劑量效應(yīng)存儲單元電路，全部由PMOS管構(gòu)成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管為上拉管，第三、第四PMOS管為讀出訪問管，第五、第六PMOS管為寫入訪問管。本發(fā)明的抗總劑量效應(yīng)存儲單元電路可自動實現(xiàn)抗總劑量效應(yīng)加固，具有較小的存儲單元面積，可用于抗輻射航空航天及嵌入式存儲器等領(lǐng)域。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人桑紅石;王文;張?zhí)煨?梁巢兵;張靜;謝揚;袁雅婧;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
- 申請?zhí)?/b>CN201310398912.4
- 申請時間2013年09月04日
- 申請公布號CN103489477B
- 申請公布時間2016年01月13日
- 分類號G11C11/413(2006.01)I;
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