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    一種MEMS陀螺儀芯片雙面陽極鍵合工藝

      摘要:本發(fā)明提出這樣一種陽極鍵合工藝方法:將MEMS陀螺儀器件層沉積到臨時高分子襯底上,完成金屬電極沉積和MEMS結(jié)構(gòu)刻蝕之后,將臨時高分子襯底用化學(xué)機(jī)械拋光的方法去除。去除之后,將玻璃基體和玻璃蓋帽分別緊貼MEMS結(jié)構(gòu)的兩側(cè),加電加熱后一次完成雙面陽極鍵合。這種工藝方法與傳統(tǒng)的兩次陽極鍵合分兩步進(jìn)行相比,更加節(jié)省成本,而且避免了第二次陽極鍵合對第一次陽極鍵合強(qiáng)度削弱這個固有缺點,使得產(chǎn)品可靠性提高。
    • 專利類型發(fā)明專利
    • 申請人華中科技大學(xué);無錫惠思頓科技有限公司;
    • 發(fā)明人劉勝;汪學(xué)方;方靖;付興銘;
    • 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
    • 申請?zhí)?/b>CN201310419006.8
    • 申請時間2013年09月13日
    • 申請公布號CN103508414B
    • 申請公布時間2015年08月19日
    • 分類號B81C3/00(2006.01)I;
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