摘要：本發(fā)明涉及一種高熱導(dǎo)金剛石摻雜SiC陶瓷的制備方法，利用流延法結(jié)合化學(xué)氣相沉積方法向金剛石多孔預(yù)制體中沉積基體碳化硅。首先配置好不同粒徑(7～50μm)的金剛石漿料進(jìn)行流延實(shí)驗(yàn)，然后將流延好的金剛石顆粒和聚乙烯醇縮丁醛組成的基片室溫干燥后備用。然后放置入CVI沉積爐，沉積基體碳化硅后得到的金剛石/碳化硅基片進(jìn)行下一步在其表面的反復(fù)流延和沉積。最后，得到了金剛石/碳化硅復(fù)合材料試樣。制備得到的金剛石/碳化硅復(fù)合材料為金剛石和碳化硅雙相、無其他雜質(zhì)，金剛石在復(fù)合材料中分布均勻且與基體金剛石結(jié)合良好。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人西北工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人劉永勝;馮薇;胡成浩;成來飛;張青;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請?zhí)?/b>CN201310739082.7
- 申請時間2013年12月26日
- 申請公布號CN103724014A
- 申請公布時間2014年04月16日
- 分類號C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;
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