摘要：本發(fā)明涉及一種GaN基UV探測(cè)傳感器，包括襯底，其特征是：在所述襯底上表面依次設(shè)置U-GaN層、AlGaN層和N型GaN層，在N型GaN層上表面分別設(shè)置歐姆電極和肖特基電極。所述歐姆電極為Ti/Al/Ti/Au金屬層。所述肖特基電極的材質(zhì)為金屬Pt。所述歐姆電極與肖特基電極之間存在一定距離。所述襯底為藍(lán)寶石襯底。本發(fā)明有效降低了傳感器的漏電流，提高了傳感器的響應(yīng)度；并且生產(chǎn)工藝簡單、需求設(shè)備少、成本低。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人黃慧詩;郭文平;柯志杰;鄧群雄;閆曉密;
- 地址214192 江蘇省無錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410007216.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年01月07日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103762264A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年04月30日
- 分類號(hào)H01L31/108(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;
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