摘要：本實(shí)用新型涉及一種免封裝型UVLED芯片，包括襯底，在襯底的正面依次設(shè)置N-GaN層、發(fā)光層、P-GaN層和反射層；其特征是：在所述反射層、P-GaN層和發(fā)光層中設(shè)置通孔，通孔由反射層延伸至發(fā)光層的底部，通孔與N-GaN層連通；在所述通孔中和反射層的表面設(shè)置N共晶電極，在反射層表面設(shè)置P共晶電極。所述N共晶電極與P共晶電極的上表面平齊。本實(shí)用新型所述免封裝型UVLED芯片熱阻小、散熱好，可以采用免封裝技術(shù)，減少共晶封裝的內(nèi)應(yīng)力。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人黃慧詩;郭文平;柯志杰;鄧群雄;
- 地址214192 江蘇省無錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201420070231.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年02月18日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN203826419U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年09月10日
- 分類號(hào)H01L33/38(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;
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