摘要：本發(fā)明公開了一種采用外延技術(shù)在硅襯底上生長具有大拉伸應(yīng)變Ge的方法，在Si襯底上外延生長Ge薄膜作為基底，繼而生長成分漸變式InxGa1?xAs緩沖層，以增加頂層結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)，接著在此結(jié)構(gòu)上生長高質(zhì)量Ge膜，得到具有大拉伸應(yīng)變的Ge薄膜。本發(fā)明在硅襯底上生長Ge緩沖層和InxGa1?xAs緩沖層使得緩沖層頂層結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)略大于Ge薄膜層的晶格常數(shù)，從而在硅襯底上制備得到具有拉伸應(yīng)變的硅基鍺薄膜，該硅基鍺薄膜的拉伸應(yīng)變可以達(dá)到2.0%，能夠使Ge薄膜應(yīng)變層轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋栋雽?dǎo)體材料，大大增強(qiáng)其自發(fā)輻射效率，有利于光電子的應(yīng)用，且基于硅襯底，可充分利用發(fā)展已很成熟的硅集成工藝，工藝簡單、進(jìn)一步降低制作成本。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人葉輝;夏亮;張?jiān)娪?
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
- 申請?zhí)?/b>CN201410026810.4
- 申請時(shí)間2014年01月21日
- 申請公布號CN103794694B
- 申請公布時(shí)間2017年01月11日
- 分類號H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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