摘要：本發(fā)明涉及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙通道類金剛石碳膜沉積裝置，真空室的上蓋與真空室的室底相對，真空室的側(cè)壁連接上蓋和室底；陽極靶和陰極靶設(shè)置在真空室的內(nèi)部，陽極靶與陰極靶相對設(shè)置，陰極靶位于真空室的室底與陽極靶之間；驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)穿過室底與陰極靶相連；第一連接通道和第二連接通道在并聯(lián)后，串聯(lián)在抽真空裝置和真空室之間，連通抽真空裝置與真空室，第一連接通道的直徑為第二連接通道的直徑的3倍；第一調(diào)節(jié)閥設(shè)置在第一連接通道與真空室連通處；第二調(diào)節(jié)閥設(shè)置在第二連接通道與真空室連通處。本申請通過在抽真空裝置與真空室之間設(shè)置兩個(gè)連接通道，通過對兩個(gè)連接通道的開閉程度的調(diào)節(jié)，能夠精確的控制沉積裝置內(nèi)部氣流的均勻性。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人成都西沃克真空科技有限公司;
- 發(fā)明人向勇;傅紹英;徐子明;楊小軍;孫力;
- 地址610200 四川省成都市雙流縣蛟龍工業(yè)港（雙流園區(qū)）東海路六段680號(hào)
- 申請?zhí)?/b>CN201610200281.4
- 申請時(shí)間2016年03月31日
- 申請公布號(hào)CN105671516A
- 申請公布時(shí)間2016年06月15日
- 分類號(hào)C23C16/26(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;
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