摘要：本實(shí)用新型公開了一種磁控濺射鍍膜設(shè)備，其包括真空箱、設(shè)于所述真空箱內(nèi)的移動(dòng)小車、與所述移動(dòng)小車連接并驅(qū)使所述移動(dòng)小車作水平移動(dòng)的直行驅(qū)動(dòng)裝置、與所述直行驅(qū)動(dòng)裝置連接的靶連接座、分別與所述直行驅(qū)動(dòng)裝置以及靶連接座連接并驅(qū)動(dòng)所述靶連接座作縱向移動(dòng)的升降驅(qū)動(dòng)裝置、與所述靶連接座固定連接磁控濺射靶。通過直行驅(qū)動(dòng)裝置推動(dòng)移動(dòng)小車作水平移動(dòng)，同時(shí)在升降驅(qū)動(dòng)裝置的作用下推動(dòng)靶連接座進(jìn)行高度位置的調(diào)整，使磁控濺射靶成為可作二維運(yùn)動(dòng)的移動(dòng)靶，而磁控濺射靶本身為長條形，從而實(shí)現(xiàn)磁控濺射的三維調(diào)節(jié)功能，適合大尺寸、大曲率、深彎、異型等基片的鍍膜要求，使所鍍制的薄膜具有高均勻性、高牢固度、高耐磨度等優(yōu)點(diǎn)。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人廣東中環(huán)真空設(shè)備有限公司;
- 發(fā)明人王健文;韓沖;梁凱基;蔡?hào)|鋒;
- 地址526020 廣東省肇慶市端州區(qū)廠排街一巷60號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201120127894.2
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年04月27日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN202090052U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2011年12月28日
- 分類號(hào)C23C14/35(2006.01)I;
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