摘要：具有非對稱壘層的藍光LED外延結構，涉及發(fā)光二極管外延技術領域。本實用新型結構從下至上依次包括藍寶石襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層，有源區(qū)包括阱層和壘層，所述有源區(qū)的生長周期數為3m個周期，有源區(qū)包括三個部分，每個部分生長m個周期，壘層由AlxGa1-xN層、AlyIn1-yN層和InzGa1-zN層組成，其中，1≤m≤5。同現有技術相比，本實用新型能減緩溢流現象和降低能帶的彎曲，提高內量子效率，從而有效提高出光效率。
- 專利類型實用新型
- 申請人南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司;
- 發(fā)明人田宇;鄭建欽;曾頎堯;賴志豪;郭廷瑞;黃繡云;黃信智;張志剛;吳東海;童敬文;林政志;李鵬飛;
- 地址100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場A座29層
- 申請?zhí)?/b>CN201320369872.6
- 申請時間2013年06月26日
- 申請公布號CN203445142U
- 申請公布時間2014年02月19日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;
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