摘要：本發(fā)明公開了一種具有高發(fā)光效率量子壘的外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。該方法包括：提供一襯底；在所述襯底上依次生長u型GaN層和N型GaN層；在所述N型GaN層上生長多量子阱有源層，所述多量子阱有源層包括交替生長的多個InGaN阱層和多個GaN壘層，所述多個GaN壘層中的最靠近所述N型GaN層的至少一個所述GaN壘層為P型GaN壘；在所述多量子阱有源層上生長P型GaN載流子層。本發(fā)明中，最靠近N型GaN層的至少一個InGaN阱層中空穴濃度大幅增加，而在大電流密度下，注入多量子阱有源層中的電子是隨之增多的，所以可以大大提高電子和空穴在多量子阱有源層中的復(fù)合效率，使得電子溢漏的程度減小，提高了大電流密度下GaN基LED的發(fā)光效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201510599118.5
- 申請時間2015年09月18日
- 申請公布號CN105140357A
- 申請公布時間2015年12月09日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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