摘要：本發(fā)明涉及一種無需打線的藍寶石襯底的氮化鎵基發(fā)光二極管及其制備方法：將芯片的P、N電極分布于芯片的兩個側面，呈窄條狀相對分布；通過把芯片的側面加工成斜面，把電極延伸到斜面上，采用嵌入式的封裝焊接結構，芯片置于該結構內，將通過熔融又凝固的焊料實現(xiàn)芯片電極與封裝結構的連接。采用本方法加工的氮化鎵基發(fā)光二極管芯片，封裝時可以省略打線的步驟，可增加芯片表面的發(fā)光面積和透光面積，可降低封裝對芯片電極的工藝需求。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人羅紅波;周武;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201110330729.1
- 申請時間2011年10月27日
- 申請公布號CN102368527A
- 申請公布時間2012年03月07日
- 分類號H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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