JZ-SDY5型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙位組合測(cè)量技術(shù),利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度

使用本儀器進(jìn)行測(cè)量時(shí)，由于不需要進(jìn)行幾何邊界條件和探針間距的修正，因而對(duì)各種形狀的薄膜材料及片狀材料有廣泛的適用性。儀器特別適用于測(cè)量片狀半導(dǎo)體材料電阻率以及硅擴(kuò)散層、離子注入層、異型外延層等半導(dǎo)體器件和液晶片導(dǎo)電膜、電熱膜等薄層(膜)的方塊電阻.儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,特別采用了平面輕觸式開關(guān)設(shè)計(jì)和各種工作狀態(tài)LED指示.并應(yīng)用了微計(jì)算機(jī)技術(shù),利用HQ-710F型微計(jì)算機(jī)作為專用測(cè)量控制及數(shù)據(jù)處理器,使得測(cè)量、計(jì)算、讀數(shù)更加直觀、快速，并能打印全部預(yù)置和測(cè)量數(shù)據(jù)。

技術(shù)指標(biāo)：

1、測(cè)量范圍：電阻率：0.001－200Ω.cm(可擴(kuò)展)

薄層電阻:0.01-2000Ω/口(可擴(kuò)展)

可測(cè)晶片厚度：≤3.00mm

2、恒流電源:電流分為100mA、1mA、10mA、 100ma 四檔 ；連續(xù)可調(diào)；穩(wěn)定度優(yōu)于0.3% 

3、數(shù)字電壓表：量程：0－199.99mV;分辨率：0.01mV精度：±0.1%

顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示。極性、小數(shù)點(diǎn)、超量程自動(dòng)顯示；

4、模擬電路測(cè)試誤差：(用1、10、100、1000 ?精密電阻測(cè)量)≤±0.3%±1字;

5、整機(jī)準(zhǔn)確度：(用0.01至180Ω.cm硅標(biāo)樣片測(cè)試)≤4%

6、專用微計(jì)算機(jī)功能：

A 鍵盤控制測(cè)量取數(shù)，自動(dòng)控制電流換向和電流、電壓探針的變換，并進(jìn)行正、反向電流下的測(cè)量，顯示出平均值

B 鍵盤控制數(shù)據(jù)處理，按內(nèi)存公式計(jì)算出薄層電阻或電阻率平均值以及百分變化。

C 鍵盤控制打印全部測(cè)量數(shù)據(jù)。包括測(cè)量條件，各次測(cè)量平均值、值、小值，百分變化等數(shù)據(jù)。

7、外形尺寸：電氣主機(jī)：360mm×320mm×100mm； 微計(jì)算機(jī)：300mm×210mm×105mm

8、儀器重量：電氣主機(jī)：約4kg；測(cè)試架(J-2A型):約5kg;微計(jì)算機(jī):約2.5kg;

9、電源：AC 220V±10%,50Hz,功率<25W

10、測(cè)試環(huán)境：溫度23±2℃；相對(duì)濕度≤65％；無高頻干擾；無強(qiáng)光照射。