手持式四探針測(cè)試儀
JZ-RTS2/JZ-RTS2A型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專用于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
    手持式四探針測(cè)試儀儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
    手持式四探針測(cè)試儀本儀器廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能單晶（多晶）生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測(cè)試，半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
 


四探針測(cè)試儀前面板
帶把手四探針探頭
技　術(shù)　指　標(biāo) ：
便攜式四探針測(cè)試儀按測(cè)量范圍可選配JZ-RTS2型或JZ-RTS2A型，區(qū)別：測(cè)量范圍不一樣。
JZ-RTS2測(cè)量范圍  電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；  
 方塊電阻：0.1～19999Ω/□； 
JZ-RTS2A測(cè)量范圍  電阻率：0.001～199.99Ω.cm；  
 方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□； 
JZ-RTS2恒流源  電流量程分為100μA、1mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
JZ-RTS2A恒流源  電流量程分為1mA、10mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表  量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
 分辨力：10μV；
 輸入阻抗：>1000MΩ；
 精度：±0.1% ；
 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)  間距：1±0.01mm；
 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
 機(jī)械游移率：≤0.3%；
 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)  (見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)  1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度  ≤5%
外型尺寸  125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境  溫度：23±2℃；
 相對(duì)濕度：≤65%；
 無高頻干擾；

 無強(qiáng)光直射；