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S型源表搭建集成電路實驗平臺

S型源表搭建集成電路實驗平臺
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產(chǎn)品報價: 1000
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普賽斯儀表
S100
武漢普賽斯儀表有限公司
高教
湖北 武漢
詳細說明

  S型源表搭建集成電路實驗平臺認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表

  本科生集成電路實驗目的

  通過實驗動手操作,加深對半導體物理理論知識的理解,掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。

  本科生集成電路實驗目錄

  實驗一:金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗

  實驗二:四探針法測量半導體電阻率測試實驗

  實驗三:         MOS電容的CV特性測試實驗

  實驗四:半導體霍爾效應測試實驗實驗

  實驗五:激光二極管LD的LIV特性測試實驗

  實驗六:太陽能電池的特性表征實驗

  本科生集成電路實驗平臺優(yōu)勢

  滿足本科生基礎教學實驗中微電子器件和材料測試需求

  測試設備簡單易用,專業(yè)權威,方便學生動手操作

  核心設備測試精度高,滿足新材料和新器件的指標要求

  測試軟件功能齊全,平臺化設計,有專人維護支持,與專業(yè)測試軟件使用相同架構

  以基礎平臺為起點,可逐步升級,滿足日益增加的實驗室測試需求

  本科生集成電路實驗基本功能

實驗名稱

測試參數(shù)

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性的IV特性測試實驗

l 輸出特性曲線

l 轉移特性曲線

l 跨導gm

l 擊穿電壓BVDS

四探針法測量半導體電阻率測試實驗

l 四探針法電阻率ρ

l 材料阻值R

MOS電容的CV特性測試實驗(低頻 +                                                  高頻)

l CV特性曲線

半導體霍爾效應測試實驗

l 霍爾電壓VH

l 霍爾電阻率ρ

l 霍爾系數(shù)RH

l 載流子濃度n

l 霍爾遷移率u

激光二極管LD的LIV特性測試

l LIV特性曲線

l 閾值電流Ith

l 閾值電流對應電壓值Vth

l 拐點Kink

l 線性電阻Rs

太陽能電池的特性表征

l 開路電壓Voc

l 短路電流Isc

l 功率Z大值Pmax

l 填充因子FF

l 轉換效率η

l 串聯(lián)電阻Rs

l 旁路電阻Rsh

  本科生集成電路實驗平臺核心

  測試平臺的核心– 源測量單元(源表, SMU)

S型源表搭建集成電路實驗平臺

S型源表搭建集成電路實驗平臺

普賽斯國產(chǎn)源表四表合一 四象限模式

  四線/開爾文測試功能

  小信號測試

  滿足先進器件和材料測試需求

  交流測試使用LCR表

  探針臺:4寸或6寸手動探針臺

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