第三代半導(dǎo)體測試儀之?dāng)?shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表自主研發(fā)生產(chǎn)，對(duì)標(biāo)美國2400，B2901；可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測量同步進(jìn)行，提高測試效率；支持四象限工作，測量范圍廣，電壓高300V，電流低至100pA；可進(jìn)行自我限制，避免因過充而造成的對(duì)測試器件的損害；5寸觸摸顯示屏圖形化操作，內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測試；支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
第三代半導(dǎo)體測試儀特點(diǎn)：
多功能：可作源和負(fù)載，又能測；
G效率：滿足多種測試需求；
可編程控制：高精度可調(diào)，靈活控制；
IV掃描：快速、直觀顯示，一步操作。
應(yīng)用領(lǐng)域：
分立半導(dǎo)體器件特性測試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量與效率特性測試，LED/AMOLED、太陽能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
傳感器特性測試，電阻率、霍爾效應(yīng)等
有機(jī)材料特性測試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等
納米材料特性測試，石墨烯、納米線等
測試功能：
微電路 | ||
1 | 晶圓 | L-IV測試，輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 芯片 | L-IV測試，輸入曲線、輸出曲線 |
器件 | ||
1 | 二極管 | 正向?qū)妷?、正向電流、反向擊穿電壓、反向漏電?/p> |
2 | 三極管 | L-IV測試，輸入曲線、輸出曲線 |
3 | MOSFET | L-IV測試，輸入曲線、輸出曲線 |
4 | IGBT | L-IV測試，輸出曲線、轉(zhuǎn)移曲線 |
5 | 晶閘管 | 正向電壓電流曲線、反向電壓電流曲線、觸發(fā)特性 |
電池 | ||
1 | 鋰電池 | IV測試，充放電掃描曲線 |
2 | 光伏電池 | IV測試，放電掃描曲線 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV測試、輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 納米線 | IV測試、輸入曲線、輸出曲線 |
S系列介紹：
特點(diǎn)：
1、5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作
2、內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測試，如LIV、PIV
3、源及測量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5數(shù)位
4、四象限工作（源和肼），源及測量范圍：電流100pA~1A，電壓0.3mV~300V
5、豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描
6、支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測試報(bào)告
7、支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
參數(shù)：
源限度 | 電壓源: +30V (≤1A量程) , +300V (≤100mA量程) ; |
電流源 | 士1.05A(≤30V量程)，+105mA (≤300V量程) ; |
過量程 | 105%量程,源和測量; |
穩(wěn)定負(fù)載電容 | <22nF ; |
寬帶噪聲(20MHz) | 2mVRMS(典型值)，<20mVVp-p(典型值); |
線纜保護(hù)電壓 | 輸出阻抗1K9 ,輸出電壓偏移<80uV ; |
Z大采樣速率 | 1000采樣點(diǎn)/秒; |
觸發(fā) | 支持IO觸發(fā)輸入及輸出,觸發(fā)極性可配置; |
輸出接口 | 前后面板香蕉頭插座輸出,同- -時(shí)刻只能用前或者后面板接口; |
通信口 | RS-232、GPIB、 以太網(wǎng); |
電源 | AC 100~ 240V 50/60Hz ; |
工作環(huán)境 | 25+10°C ; |
尺寸 | 106mm高x 255mm寬x 425mm長; |
重量 | 5Kg ; |
質(zhì)保期 | 3年; |
國產(chǎn)優(yōu)勢
1、自主研發(fā)，符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求；
2、性價(jià)比高；
3、可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案。及時(shí)指導(dǎo)客戶編程，加速測試系統(tǒng)開發(fā)。
