基于硅光電倍增器（SiPM）的正電子湮沒壽命譜儀
產(chǎn)品簡介
放射源發(fā)射出高能正電子射入物質(zhì)中后，首先在極短時(shí)間內(nèi)（約10-12ps以下）通過一系列非彈性碰撞減速，損失絕大部分能量至熱能，這一過程稱為注入與熱化。熱化后的正電子將在樣品中進(jìn)行無規(guī)擴(kuò)散熱運(yùn)動，晶格中空位、位錯等缺陷往往帶有等效負(fù)電荷，由于庫侖引力 正電子容易被這些缺陷捕獲而停止擴(kuò)散，并將在物質(zhì)內(nèi)部與電子發(fā)生湮沒。從正電子射入物質(zhì)到發(fā)生湮沒所經(jīng)歷的時(shí)間一般稱為正電子壽命。由于湮沒是隨機(jī)的，正電子湮沒壽命只能從大量湮沒事件統(tǒng)計(jì)得出。
性能特點(diǎn)
正電子湮沒技術(shù)對材料的結(jié)構(gòu)相變和原子尺度的缺陷極為敏感，已經(jīng)成為研究物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)的無損的探測分析手段。正電子湮沒作為微觀分析技術(shù)一種，其主要研究范圍在于針對原子尺寸的微結(jié)構(gòu)和缺陷。與通常的微觀結(jié)構(gòu)分析如STM、SEM、TEM等技術(shù)相比，正電子湮沒技術(shù)不僅可以提供缺陷的尺寸信息、相變信息，而且可以提供缺陷隨深度分布的信息，能夠深入的分析材料的電子結(jié)構(gòu)以及正電子湮沒處的化學(xué)環(huán)境等，彌補(bǔ)了其他微觀探測技術(shù)的不足，具有不可替代性。
臺式正電子湮沒壽命譜儀
技術(shù)優(yōu)勢：
1.他對樣品材料的種類幾乎沒有什么限制，可以是固體、液體或氣體，可以是金屬、半導(dǎo)體、絕緣體或高分子材料，可以是單晶、多晶或液晶等，適用于凡是與材料的電子密度及動量有關(guān)的問題。
2.對樣品溫度沒有限制，可以跨越材料的熔點(diǎn)或凝固點(diǎn)，而信息又是通過貫穿能力很強(qiáng)的γ射線攜帶而來，因此可以對樣品做高低溫的動態(tài)原位測量，測量時(shí)可施加電場、磁場、高氣壓、真空等特殊環(huán)境。
3.研究樣品中原子尺度的缺陷，如晶格中缺少一個或多個原子的缺陷，這些缺陷在電鏡、X衍射中研究頗為困難。
4.簡單使用，室溫測量下的PAT制樣方法
技術(shù)參數(shù)
1.采用SiPM設(shè)計(jì)，時(shí)間分辨率<=120ps
2.計(jì)數(shù)率>1000cps
3.自動能窗調(diào)節(jié)
4.高壓漂移，自動修正
5.數(shù)據(jù)文件無需修改格式，可直接解譜
6.用戶友好，使用方便
